Cтраница 4
Принципиальная схема СН на базе ДН ( а, форма кривой токов ( 6, в и характеристики управления ( г. [46] |
СН, причем роль ключа играет ветвь намагничивания НТТ, сопротивление которой резко падает во время насыщения НТТ. [47]
Подставляя вместо х и i соответствующие значения, заданные в опытах, можно получить соотношение между временем насыщения модели пласта нефтью и временем насыщения ее водой. [48]
Диаметр трубки Для ввода газа должен быть достаточно большим, так чтобы она не забивалась кристаллами во время насыщения раствора сероводородом. [49]
Кривые равновесия между эндотермической атмосферой в содержав нием углерода в углеродистой стали ( о, в и легированной ( б стали. а, б - nos. [50] |
Этого можно избежать, если цементайию производить с постоянным потенциалов углерода 0 8 - 1 0 %, но время насыщения при этом значительно возрастет. [51]
Особенности адсорбции растворенных веществ в аппаратах периодического действия с псевдоожиженным слоем связаны с соотношением времени полного перемешивания частиц и времени насыщения адсорбента при различных степенях расширения слоя. На рис. V-9 представлены зависимости времени защитного действия слоя г Пр от его длины LB при адсорбции п-ни-троанилина из водных растворов углем КАД. Из рисунка видно, что характер этих зависимостей различный. При скоростях потока, обеспечивающих расширение слоя более двукратного, время защитного действия псевдоожиженного слоя периодического действия, начиная с некоторой длины слоя, изменяется прямо пропорционально длине слоя ( рис. V-9 б), причем потеря времени защитного действия практически равна нулю. [52]
Рыхление материала в железнодорожной цистерне. насыщение материала сжатым газом ( а сброс давления ( б. [53] |
Так как повышение давления в пространстве над материалом от ро до р происходит за короткий, в сравнении со временем насыщения, промежуток времени, то можно считать, что давление набирается мгновенно. Такое допущение позволяет найти общее решение рассматриваемой задачи. [54]
О - время насыщения равно времени облучения Э - время насыщения в 2 раза больше времени облучеиия; С - время насыщения в 3 раза меньше времени облучения. [55]
Зависимость скорости хив мико-термической обработки от граничных условий. [56] |
Параболическая зависимость многократно экспериментально подтверждена для тех случаев, когда концентрация диффундирующего элемента на поверхности С0 в течение большей части времени насыщения оставалась величиной постоянной; когда Q на поверхности не постоянна - параболическая зависимость нарушается. [57]
Скорость роста диффузионных покрытий, их фазовый состав и структура определяются составом исходной газовой смеси, температурой поверхности металла, временем насыщения, скоростью пропускания смеси. [59]
При работе транзистора в импульсном усилителе ( см. рис. 8.4, а также рис. 9.7, а и б) во время насыщения на нем выделяется мощность Яр. [60]