Время - переключение - диод
Cтраница 1
Время переключения диода изменяется от 50 до 500 мкс и уменьшается с увеличением приложенного импульса напряжения. [1]
Время переключения диода из закрытого состония в открытое определяется временем пролета носителями обедненного слоя. Это время не зависит от времени жизни носителей и при достаточно малой толщине обедненного слоя ( 1 - 3 мкм) составляет сотые доли наносекунды. Следует отметить, что время переключения из закрытого состояния в открытое много меньше времени переходного процесса накопления заряда, соизмеримого с временем жизни носителей. [2]
 |
Влияние излучения на кремниевые диоды и выпрямители общего назначения. [3] |
Время переключения диодов в результате облучения всегда уменьшается. Измерения шумов диодов после облучения показали, что независимо от типа диодов уровень шумов сильно изменяется в пределах одного типа от микро - до милливольт. [4]
При этом время переключения диодов составляет менее 2 не. [6]
Основным фактором, определяющим время переключения диода и быстродействие переключателя, является эффект накопления заряда в г - елое. При уменьшении напряжения смещения импеданс p - i - n структуры мгновенно не возрастает, за счет избыточной концентрации носителей заряда в / - области, уменьшение которой происходит как вследствие рекомбинации, так и из-за переноса носителей через переход. Время восстановления при использовании только прямого смещения опреде-ляется главным образом, процессом рекомбинации носителей заряда в / - области и составляет десятки микросекунд. Для уменьшения его в момент переключения на Р сп 9 - 3 Эквивалентная схема диод подается импульс об - р 1 п диода ратной полярности амплитудой до 100 В. За счет сильного электрического поля в t - области происходит дополнительное вытягивание носителей заряда. [7]
Основным фактором, определяющим время переключения диода и быстродействие переключателя, является эффект накопления заряда в i-слое. При уменьшении напряжения смещения импеданс p - i - n структуры мгновенно не возрастает, за счет избыточной концентрации носителей заряда в i-области, уменьшение которой происходит как вследствие рекомбинации, так и из-за переноса носителей через переход. Время восстановления при использовании только прямого смещения определяется главным образом процессом рекомбинации носителей заряда в i-области и составляет десятки микросекунд. [8]
Температурная зависимость проявляется также для постоянной времени переключения диода тд. [9]
Нормальный запуск триггера на диоде ТД2 во время переключения диода TR зависит, главным образом, от разброса характеристик диодов ТД, ОД3 и ТД2 по напряжению. [10]
При работе в импульсных схемах наиболее существенным является время переключения диода из одного состояния в другое. Для расчета времени переключения необходимо знать ток, идущий на заряд емкости, и, следовательно, форму вольтамперной характеристики диода. [11]
При работе в импульсных схемах наиболее существенным является время переключения диода из одного состояния в другое. Для расчета времени переключения необходимо знать ток, идущий на заряд емкости, и, следовательно, форму вольтамперной характеристики диода. [12]
Постоянная времени гяСп, которая определяет скорость разряда и заряда емкости перехода Са во время переключения диода, как следует из приведенных выше данных, не превышает десятых долей наносекунд; это и обеспечивает высокую скорость включения и выключения диода. [13]
 |
Вольтамперная характеристика обращенного диода. [14] |
Инерционность обращенного диода, так же как и туннельного, определяется временем перезаряда емкости р-п перехода. Время переключения диода обычно не превышает 1 нсек. [15]
Страницы: 1 2