Время - переключение - порядок
Cтраница 1
Время переключения порядка 3 / ипр, определенное Мол-лом, может быть получено на практике, если пренебречь влиянием накопления носителей. [1]
Разработка логических ячеек с временами переключения порядка 1 не и менее выдвинуло важнейшую проблему - передачу сигналов от одной ячейки к другой. За одну наносекунду свет в пустоте проходит 30 см. В реальных устройствах скорость распространения электрических сигналов ниже ( в 2 раза), так что геометрические размеры конструкции и необходимость пространственной передачи сигнала от ячейки к ячейке становятся практически ощутимым фактором, делающим бесполезными попытки радикального увеличения скорости переработки сигналов путем увеличения быстродействия отдельных элементов. [2]
 |
Схема ключа с малым временем переключения. [3] |
С помощью высокочастотных транзисторов удается получить время переключения порядка 0 1 мк / сек. Так как транзисторная техника развивается весьма интенсивно, то можно рассчитывать на то, что в дальнейшем удастся как увеличить значения переключаемых токов, так и расширить частотный диапазон ключей. [4]
Фирмой Milliard ( Англия) разработан точечный диод из арсонида галия со временем переключения порядка 0 25 нсек. [5]
Фирмой Mullard ( Англия) разработан точечный диод пз арсенида галия со временем переключения порядка 0 25 нсек. [6]
Современные ТД позволяют генерировать колебания частотой до 100 ГГц, а в импульсных устройствах получать время переключения порядка десятков-сотен пикосекунд. [7]
 |
Нелинейная модель биполярного транзистора. [8] |
В современных быстродействующих цифровых схемах применяют диоды Шоттки, выполненные на основе контакта металл - полупроводник и отличающиеся большим быстродействием, так как их инерционность обусловливается только наличием зарядной ( барьерной) емкости, а другие факторы, ограничивающие скорость переключения полупроводниковых диодов, отсутствуют. Диоды Шоттки имеют времена переключения порядка 0 1 не, малые прямые напряжения ( прямые напряжения диодов Шоттки составляют примерно половину от прямых напряжений обычных кремниевых диодов) и без затруднений реализуются в интегральных схемах. [9]
 |
Схема накопителя на ТД и вольт-амперная характеристика ТД. [10] |
ТД являются самыми быстродействующими из известных полупроводниковых приборов. Созданы ТД с временем переключения порядка 5 пс. ТД обладают высокой надежностью и стабильностью параметров в широком диапазоне температур ( 4 К - 370 С), в условиях сильной радиации, вибрации и ударных воздействий, что свидетельствует о перспективности использования ТД как в ЗУ обычного, так и специального применения. [11]
Высокая подвижность свободных носителей [ ц 5000 см / ( В-с) ], большая ширина запрещенной зоны ( Е3 1 43 эВ), малые времена жизни носителей ( т10 - 8с) арсенида галлия делают этот материал одним из наиболее перспективных полупроводников, используемых для изготовления приборов и интегральных схем, работающих при повышенных температурах, в широком диапазоне частот, включая мм-диа-пазон. Логические элементы на основе арсенида галлия имеют время переключения порядка десятка пикосекунд. [12]
Инверторы могут создавать значительные помехи в диапазоне частот 5 - 200 МГц с максимальным значением вблизи 60 МГц. Транзисторы, рассчитанные на токи порядка миллиампера, имеют время переключения порядка наносекунд, а относительно сильноточные устройства - порядка нескольких микросекунд. Таким образом скорости изменения тока при переключении могут составить порядка 107 А / с. Мягкое переключение, выбор небольших значений тока и его плотности позволяют уменьшить помехи, возникающие при переключении. [13]
Совершенствование транзисторов идет по пути повыше ния рабочей частота и увеличения мощности. В настоящее время в СССР и за рубежом уже выпускаются маломощные усилительные трашшетвры с граничной частотой / т - свыше 1000 МГц н мощностью рассеивания до ватта, а также переключающие транзисторы с временем переключения порядка десяти наносекунд. [14]
Туннельный диод - двухполюсный прибор с отрицательным сопротивлением на прямой ветви характеристики, обусловленным туннельным прохождением электронов через тонкий р-п переход. Наиболее ценным качеством туннельного диода является быстродействие: обычное время переключения импульсных схем на туннельных диодах составляет величину порядка 1 нсек. Описаны диоды с временем переключения порядка десятков и - даже единиц пикосекунд. [15]
Страницы: 1 2