Cтраница 1
Время переключения схемы равно длительности стадии подготовки и длительности среза импульса. [1]
![]() |
Схема возбуждения гидрогенератора мощностью 178 МВт. [2] |
Время переключения схемы реверса не превышает времени переходного процесса для встречно-параллельной схемы с пониженным напряжением питания отрицательного преобразователя и составляет 0 25 - 0 3 с. На рис. 8 - 19 приведена упрощенная схема независимого возбуждения гидрогенераторов мощностью 178 МВт для ГЭС Джердап-Железные ворота. Для системы независимого возбуждения главного генератора и системы самовозбуждения вспомогательного генератора гидрогенераторов мощностью 178 МВт используется комплект тириторных преобразователей типов ПТ-10000 и ПТ-500. Тиристорный преобразователь системы независимого возбуждения главного генератора выполнен двухгрупповым с рабочей ( ПТ-10000-РГ) и форсиро-вочной ( ПТ-10000-ФГ) группами вентилей. Обе группы преобразователя выполнены по трехфазной мостовой схеме. Они идентичны по конструкции и электрической схеме, включены параллельно на общую нагрузку - ротор генератора. [3]
Ускоряющая емкость Ск уменьшает время переключения схемы, увеличивая сигнал на входе транзистора, который должен быть закрыт. [4]
Это вызвано тем, что время переключения схемы составляет в этом случае уже значительную часть периода колебаний. [5]
В силу указанных причин при использовании высокочастотных транзисторов время переключения схемы определяется в основном паразитными емкостями схемы и может быть доведено до 1 не. [6]
Получив новые значения Е и R, следует оценить время переключения схемы по формуле (5.57) и рассчитать максимальную частоту переключения. Если полученное значение превышает заданное, то, следовательно, параметры схемы выбраны правильно. [7]
Значительные трудности возникают при обеспечении развязки питающих напряжений, защиты от взаимных помех, так как время переключения схем меньше 1 нсек, а длительность выходного импульса порядка 5 нсек. Кроме того, необходимо отметить, что для построения устройств с использованием большого количества элементов требуется наличие туннельных диодов с однотипными высокостабильными характеристиками. [8]
![]() |
Схема элемента ЭСЛ. [9] |
Основным достоинством схем ЭСЛ является высокое быстродействие, обусловленное ненасыщенным А в режимом работы транзисторов. Время переключения схемы определяется постоянными времени зарядки - перезарядки паразитных емкостей. Схема имеет высокое входное сопротивление и низкое выходное сопротивление, что позволяет использовать ее при работе на низкоомную нагрузку. [10]
![]() |
Схемы связи для коаксиального кабеля при параллельном ( а и последовательном ( б согласовании, а также при работе на кабель с волновым сопротивлением 50 Ом ( в. [11] |
Передача информационных сигналов может быть осуществлена с помощью экранированного провода с обязательной посылкой стро-бирующего сигнала по коаксиальному кабелю. При этом стробиру-ющий сигнал должен быть задержан относительно информационного на время действия переходных процессов, а длительность импульсов информационных сигналов должна выбираться из условия и 1эдрстр 1 1 ( 1 0), где tздpcтp - время задержки стробирующего сигнала относительно информационного; t il ( 1 0) - время переключения схемы, принимающей информацию. [12]
Специфические требования предъявляются и к величине пульсации питающего напряжения. Вместе с тем время переключения схем на несколько порядков меньше периода пульсаций питающего напряжения. Это заставляет рассматривать пульсацию питающего напряжения с тех же позиций, что и изменение постоянной составляющей питающего напряжения. Таким образом, величина пульсации должна входить в общий диапазон допустимого изменения напряжения питания. Отсюда следует, что чем стабильнее напряжение питающей сети, тем большая величина пульсации может быть допущена на выходе питающего устройства. В том случае, когда приходится одно управляющее устройство питать от нескольких автономных источников с заметной пульсацией, желательно, кроме совпадения номиналов питающих напряжений, обеспечить также и синфазность пульсации. [13]
Быстродействие диодно-резистивных схем ИЛИ, так же как и схем И, определяется скоростью переключения выходного напряжения. Расчет этих схем производится аналогично расчету схем совпадения. Однако в этом случае требование к времени переключения схемы определяется не фронтом ( как в схеме И), а спадом импульса ( тс) так как при снятии входного напряжения начинается заряд емкости через резистор Ram. Фронт же импульса определяется в основном фронтом входного сигнала, так как разряд емкости происходит через малое прямое сопротивление диода при возрастании до нуля напряжения на соответствующем входе. [14]
Быстродействие диодно-резистивных схем ИЛИ, так же как и схем И, определяется скоростью переключения выходного напряжения. Расчет этих схем производится аналогично расчету схем совпадения. Однако в этом случае требование к времени переключения схемы определяется не фронтом ( как в схеме И), а спадом импульса ( тс), так как при снятии входного напряжения начинается заряд емкости через резистор RnMl. Фронт же импульса определяется в основном фронтом входного сигнала, так как разряд емкости происходит через малое прямое сопротивление диода при возрастании до нуля напряжения на соответствующем входе. [15]