Время - переключение - транзистор
Cтраница 2
Поскольку крутизна фронтов прямоугольных колебаний мало зависит от частоты, доля потерь во время переключения транзисторов и диодов в общей энергии с ростом частоты прямоугольных колебаний преобразователя увеличивается, а кпд падает. [16]
 |
Схема исследования двухтактного транзисторного преобразователя напряжения. [17] |
Конденсатор С служит для сглаживания выбросов напряжения, возникающих при переходных процессах во время переключения транзисторов. [18]
Как видно из выражений ( 1) - ( 4), сократить время переключения транзисторов инвертора можно увеличением закрывающего тока базы / Б2 или регулированием тока базы / Б1 пропорционально току коллектора, поддерживая базовый ток в пределах / Бн. При этом удается полностью избежать сквозного тока. [19]
Это позволяет резко сократить время жизни неосновных носителей заряда, а тем самым и время переключения транзистора. [20]
Подробное обсуждение относительных временных соотношений проведено потому, что, хотя заданное по условию время переключения транзистора 0 5 мксек достигнуто, определение времени переключения остается неясным. В большинстве случаев то обстоятельство, что Vc достигает своего верхнего уровня раньше, чем Ус своего нижнего, можно считать удовлетворительным, однако в некоторых случаях это приводит к логическим ошибкам. Следовательно, для того чтобы определить, допустимо это или нет, каждый случай следует рассматривать отдельно. [21]
Из уравнений ( 17 - 160) и ( 17 - 137) видно, что сократить время переключения транзистора и облегчить запуск преобразователя можно, уменьшая сопротивление резистора Кб в цепи базы. [22]
 |
Структурная схема стабилизированного преобразователя с бестрансформаторным входом.| Структурная схема источника питания с бестрансформаторным входом и понижением. [23] |
Схема управления ШИМ следит за выходным напряжением 1 / и и в зависимости от флуктуации его изменяет длительность времени переключения транзисторов TI, T2 преобразователя так, что среднее значение выходного напряжения остается неизменным в пределах заданной точности регулирования. [24]
Для запуска преобразователя применен делитель напряжения R7 - R8, а конденсатор СЗ служит для сглаживания пиков напряжения, которые появляются во время переключения транзисторов. [25]
KRP / R3, временем переключения, под которым понимают время перехода элемента из одного состояния в другое, например время срабатывания или отпускания реле или время переключения транзистора; с роком с л у ж б ы, или до л го-вечностью, под которыми понимают допустимое число переключений для электромеханических приборов или допустимое время работы ( для электронных и магнитных приборов); интенсивностью отказов, т.е. вероятностью отказов в единицу времени; вносимым затуханием в тракт передачи информации. [26]
Примем при анализе следующие допущения: пренебрежем пульсациями напряжения на накопительном конденсаторе С; трансформаторы в схеме считаем идеальными; примем равными нулю потери в сердечнике и меди обмотки дросселя, а также потери в резонансном конденсаторе; пренебрежем потерями в полупроводниковых приборах за время открытого состояния; времена переключения транзисторов и диодов примем равными нулю. [27]
Рассмотрение процессов в инверторе проведем при следующих допущениях: а) импульсы управляющего напряжения имеют форму идеальных прямоугольников; б) максимальный ток, проходящий через транзистор, не выводит его из насыщения в активную область; в) транзисторы и диоды инвертора обладают идеальной характеристикой - бесконечно большой двусторонней проводимостью в открытом состоянии и бесконечно большим сопротивлением в закрытом состоянии; г) время переключения транзисторов равно нулю; д) внутреннее сопротивление источника питания равно нулю; е) источник питания обладает двусторонней проводимостью. [28]
При осуществлении такого усилителя необходимо предварительное преобразование постоянного тока в фазный угол гармонического тока или фазу ( момент появления) импульсного тока. При импульсном токе время переключения транзистора значительно меньше, чем при синусоидальном токе. [29]
Повысить быстродействие ТТЛ-схем можно, применив в схеме базового элемента ( см. рис. 5.18) вместо обычных транзисторов транзисторы Шотки ( см. рис. 5.6), работающие в активном режиме. Тем самым сокращается время переключения транзисторов схемы за счет исключения времени рассасывания носителей заряда в базе транзистора при их запирании. Логические ИМС, выполненные на базе транзисторов Шотки, называются микросхемами ТТЛШ. [30]
Страницы: 1 2 3