Время - обратное переключение
Cтраница 1
Время обратного переключения у а-и-и - диода составляет 25 не, что меньше, чем у ДШ. Этот факт был предсказан теорией БДШ. [1]
Можно ожидать, что время обратного переключения, определенное таким же обраво м, будет включать в себя ту же анстан-ту C / g, а соответствующий параметр возбуждения будет равен У ИН / Д / ВЫК. Так как область минимума шире области пика, то при одинаковом значении параметра возбуждения время обратного переключения должно быть больше времени прямого переключения. [2]
В соответствии с общепринятой концепцией в ДШ следует избегать инжекции неосновных носителей, чтобы не увеличивать время обратного переключения. Поэтому должен использоваться кремниевый слой с относительно низким сопротивлением, иначе на этом слое возникает большое падение напряжения. Однако это неизбежно приводит к низкому напряжению пробоя, а также к большой емкости перехода, повышающей инерционность прибора. [4]
О поведении а-р-и - диода и контрольного диода с р - / г-переходом при переключениях можно судить по данным рис. 6.3.10. Для диодов большой мощности время обратного переключения обычно составляет несколько сотен наносекунд; так в случае контрольного диода с р-и-пере-ходом это время равно 600 не. В противоположность этому время обратного переключения а-р-и - диода существенно снижено до 60 не, что также сравнимо со временем обратного переключения у ДМП. [6]
О поведении а-р-и - диода и контрольного диода с р - / г-переходом при переключениях можно судить по данным рис. 6.3.10. Для диодов большой мощности время обратного переключения обычно составляет несколько сотен наносекунд; так в случае контрольного диода с р-п-пере-ходом это время равно 600 не. В противоположность этому время обратного переключения а-р-и - диода существенно снижено до 60 не, что также сравнимо со временем обратного переключения у ДМП. [8]
О поведении а-р-и - диода и контрольного диода с р - / г-переходом при переключениях можно судить по данным рис. 6.3.10. Для диодов большой мощности время обратного переключения обычно составляет несколько сотен наносекунд; так в случае контрольного диода с р-и-пере-ходом это время равно 600 не. В противоположность этому время обратного переключения а-р-и - диода существенно снижено до 60 не, что также сравнимо со временем обратного переключения у ДМП. [10]
О поведении а-р-и - диода и контрольного диода с р - / г-переходом при переключениях можно судить по данным рис. 6.3.10. Для диодов большой мощности время обратного переключения обычно составляет несколько сотен наносекунд; так в случае контрольного диода с р-п-пере-ходом это время равно 600 не. В противоположность этому время обратного переключения а-р-и - диода существенно снижено до 60 не, что также сравнимо со временем обратного переключения у ДМП. [11]
Кроме мощных тиристоров разработаны и маломощные высокочастотные варианты. В таких приборах время прямого переключения может составлять десятки, а время обратного переключения - сотни наносекунд. Столь высокое быстродействие обеспечивается малой толщиной слоев и наличием электрического поля в толстой базе. Маломощные быстродействующие тиристоры используются Е импульсных схемах, в ом числе интегральных. [12]
 |
Конструкция унитро-на ( а и схема его включения ( б. [13] |
Наряду с мощными тринисторами разрабатываются и маломощные высокочастотные варианты. В таких приборах время прямого переключения может составлять десятки, а время обратного переключения - сотни наносекунд. Столь высокое быстродействие обеспечивается малой толщиной слоев и наличием электрического поля в толстой базе. [14]
Можно ожидать, что время обратного переключения, определенное таким же обраво м, будет включать в себя ту же анстан-ту C / g, а соответствующий параметр возбуждения будет равен У ИН / Д / ВЫК. Так как область минимума шире области пика, то при одинаковом значении параметра возбуждения время обратного переключения должно быть больше времени прямого переключения. [15]
Страницы: 1 2