Время - перенос
Cтраница 3
С увеличением приложенного напряжения время переноса уменьшается. Как правило, зависимость Тп от V в координатах 1 / Гп - V имеет вид прямой линии. Согласно ( 27), это значит, что подвижность не зависит от напряженности поля. Если в образце присутствуют глубокие ловушки с временем захвата, значительно превышающим время переноса, то при увеличении тянущего поля импульс тока от движения носителей растет по амплитуде, не изменяясь по продолжительности. Это означает, что носители попадают в глубокие ловушки, не достигая коллекторного электрода и в этом случае продолжительность импульса тока определяется временем жизни носителей т до попадания в глубокие ловушки. [31]
 |
Схема регистрации движения инжектированных носителей в образце. [32] |
С увеличением напряженности поля время переноса уменьшается. [33]
Выше отмечалось, что время переноса разряда в декатроне, наполненном неоном, в процессе эксплуатации возрастет примерно от 25 до 75 мксек. Такое возрастание может произойти в течение первой тысячи часов работы лампы. При правильной эксплуатации время переноса разряда в дальнейшем практически не меняется в течение многих тысяч часов. [34]
По этой же причине время переноса ионов в зазоре уменьшается, что создает условия для возрастания концентрации многозарядных масс в спектре. [35]
РГР-1, в котором время переноса ионных меток поддерживается постоянным. Постоянство времени переноса в приборе осуществляется автоматически. Это, в свою очередь, приводит к разбалансу электронного устройства и появлению на его выходе сигнала, который приводит в движение реверсивный двигатель РД-09. При автоматическом поддержании постоянным времени переноса имеет место линейный закон изменения расстояния переноса ионных меток от величины расхода газа. С источником излучения связан указатель, перемещающийся вдоль шкалы прибора, проградуированной в единицах расхода. [36]
РГР-1, в котором время переноса ионных меток поддерживается постоянным. Постоянство времени переноса в приборе осуществляется автоматически. [37]
Детальное исследование температурной зависимости времени переноса электрона от цитохрома на бактерио-хлорофилл показало, что в интервале Т 30 - т - 130 К скорость переноса не зависит от температуры, а при Т 130 К скорость переноса экспоненциально возрастает с повышением температуры. Для объяснения такой зависимости авторы предположили, что перенос электрона осуществляется двумя механизмами: независящим от температуры туннельным переносом и экспоненциально зависящим от температуры надбарьерным переносом. [38]
Существует некоторый скрытый период и время переноса, необходимые аппаратуре ввода - вывода для поиска и передачи данных к памяти ( например, дисковой) и от нее. [39]
 |
Временная зависимость относительной величины оставшегося в потенциальной яме заряда Q / Qo и эффективности переноса заряда ц. [40] |
Под влиянием поля краевого эффекта время переноса заряда может очень сильно уменьшаться, причем в наибольшей степени этот эффект проявляется в области низких температур. При низких уровнях легирования исходной полупроводниковой подложки и малых длинах потенциальных ям относительный вклад процесса переноса носителей может оказаться преобладающим. [41]
Под влиянием поля краевого эффекта время переноса заряда может очень сильно уменьшиться, причем в наибольшей степени этот эффект проявляется в области низких температур. При низких уровнях легирования исходной полупроводниковой подложки и малых длинах потенциальных ям относительный вклад процесса переноса носителей может оказаться преобладающим. [42]
Полученная при исследовании прибора зависимость времени переноса от расстояния L оказалась прямолинейной в соответствии с теорией. [43]
Инерционность реального транзистора зависит от времени переноса носителей в его базе и от емкостей р - n - переходов. Инерционность схемы определяется ее паразитными емкостями. Для увеличения быстродействия транзисторных ключей необходимо использовать специальные транзисторы. В дальнейшем для простоты изложения работы импульсных схем с транзисторными ключами мы будем пренебрегать инерционностью процесса переноса электронов в базе транзистора и учитывать лишь емкости, не разделяя их на паразитные и емкости транзистора. [44]
 |
Конструкция парцизирально-го водомера на колене трубопровода. [45] |
Страницы: 1 2 3 4 5