Cтраница 1
Время развития и действия этих насекомых, называемых техническими вредителями, зависит от степени сухости и химического состава древесины. Однако чаще всего этот период составляет 1 - 2 года. Взрослые насекомые осуществляют спаривание в многочисленных ходах и полостях, где живет обычно целый ряд поколений. [1]
Время развития деформации, как и время падения напряжения, в значительной степени зависит от температуры. [2]
Время развития люминесценции у бензоиновых соединений обычно около 5 мин, однако в работе [51] указывается, что в присутствии кислорода наблюдается индукционный период ( задержка развития свечения) в 20 мин. [3]
Время развития взрыва для различных смесей различно и зависит от многих факторов. [4]
Время развития силикоза колеблется в широких пределах: у горнорабочих силикоз может возникнуть при стаже работы в 3 - 10 лет, у точильщиков металла - в 6 - 7 лет, у пескоструйщиков и обрубщиков литья - 1 - 4 года, у фарфорщиков-10 - 30 лет, у резчиков гранита - 10 - 14 лет. Известна злокачественная форма силикоза ( острый силикоз), возникающая в течение 1 - 2 лет, наблюдавшаяся у рабочих при прорытии тоннелей в США и Швейцарии. [5]
Время развития деформации, как и время падения напряжения, в значительной степени зависит от температуры. Чем она выше, тем быстрее перегруппировываются макромолекулы и тем скорее развивается деформация при постоянной нагруз - ке. Это явление называется упругим после-действием. [6]
Время развития вспышки - 0 1 - 5) с, время затухания ( дм ( 3 - 100) с. МХВ 1730 - 335 ( осуществленная аппаратурой сов. [7]
![]() |
Схемы защиты силового транзистора. [8] |
Время развития ВП при изотермическом процессе шнурования тока ( в процессе выключения) составляет несколько десятков наносекунд, поэтому практически отсутствует схемная возможность выявить предпробойное состояние и принять меры к его предотвращению. [9]
![]() |
Принцип, схема [ IMAGE ] Принцип, схема. [10] |
Время развития лавинного процесса в коллекторном переходе очень мало ( - 10 - 8 - 10 - 9 сек); поэтому даже весьма кратковрем. [11]
Время развития неустойчивости Пирса имеет порядок пролетного времени UO / L, где Ыо ( 2el / o / m) 1 / 2 - скорость электронов пучка на входе в систему. [12]
![]() |
Временные диаграммы изменения. [13] |
Время развития лавинного процесса протекает конечно, поэтому электрическое поле в каждый момент определяет не величину лавинного тока, а скорость его изменения. [14]
Время развития чехла короны весьма мало и составляет по всей вероятности, десятые или даже сотые доли микросекунды. [15]