Время - релаксация - фотопроводимость
Cтраница 1
Время релаксации фотопроводимости т, измеренное непосредственно в процессе термолиза при температурах 200 - 400 С, остается неизменным и составляет приблизительно 3 - 4 - 10 - 4 сек. Резкое уменьшение т с углублением обработки начинается при температуре 450 С, когда уже с заметной скоростью идут процессы циклизации ПАН за счет его дегидрирования. Время релаксации т становится равным 1 - 2 - Ю 5 сек. [1]
Согласно данным Петрица и др. [93, 94], времена релаксации фотопроводимости и эффекта поля равны. [2]
При обработке кривых фототока способом, описанным в [4], получены для всех образцов по два значения времен релаксации фотопроводимости: TI, т: 2 - при нарастании и т /, ч2 - при спадании фототока. Значения времен релаксации для образцов в реакции дегидрогенизации представлены в таблице. [3]
Как видно на рис. 2 ( кривые 2, 3), между изменениями работы выхода и временами релаксации фотопроводимости имеется антибатная зависимость. [4]
Исследованы изменения работы выхода ( Др) при адсорбции перекиси водорода и этилового спирта на образцах окиси свинца, измерены каталитические активности ( А) в реакциях разложения этих веществ, определены времена релаксации фотопроводимости ( т) образцов. [5]
Целью настоящей работы является исследование связи, во-первых, между каталитической активностью РЮ-катализатора в реакции разложения Н2О2 и дегидрогенизации этилового спирта и изменениями работы выхода при адсорбции этих же веществ; во-вторых, между временами релаксации фотопроводимости и изменениями работы выхода. [6]
С другой стороны, так как хемосорбция, влияющая на работу выхода, зависит от электронного состояния поверхности, а величины, характеризующие фотопроводимость и ее кинетику, также зависят от электронной структуры полупроводника, должна существовать взаимосвязь между этими величинами и изменениями работы выхода при адсорбции. Следует указать, что в [4] установлена корреляция между каталитической активностью и временами релаксации фотопроводимости. [7]
Таким образом, интерпретация экспериментальных данных усложняется, а число подлежащих определению параметров увеличивается. Однако в принципе, во всяком случае, все параметры теории могут быть определены экспериментально, путем привлечения дополнительных измерений, например, времен релаксации фотопроводимости в инфракрасной области спектра. [8]
 |
Зависимость напряжения насыщения Vs от парциального давления азота в камере распыления р.| ВАХ a - Si. Н - видикона. Фототек измеряется при облучении светом дли. [9] |
На рис. 7.1.13 показана зависимость напряжения насыщения V, от парциального давления азота при осаждении пленок. Отсюда следует, что в этих условиях осажденная величина fir для электронов достигает максимума. Атомы азота в a - Si: Н действуют как доноры, усиливающие вторичный фототек и увеличивающие время релаксации фотопроводимости. [10]
На рис. 7.1.13 показана зависимость напряжения насыщения У. Отсюда следует, что в этих условиях осажденная величина цг для электронов достигает максимума. Атомы азота в a - Si: Н действуют как доноры, усиливающие вторичный фототок и увеличивающие время релаксации фотопроводимости. [12]
Страницы: 1