Время - тепловая релаксация
Cтраница 2
 |
Пироэлектрический видикон. [16] |
Тепловое излучение 1 проходит через электрод и полимерную пленку в теплопоглотитель. Время тепловой релаксации определяется теплоемкостью полимерной пленки и теплопроводностью приемного электрода. [17]
Методом моделирования на RC-сетке определены тепловые характеристики диода как в стационарном, так и в импульсном режимах работы. Найдены величины теплового сопротивления и времени тепловой релаксации для переключательного СВЧ диода. [18]
 |
Зависимость усредненной по объему температуры элемента от времени в импульсном ( /, импульсно-периодическом ( 2 и непрерывном ( 3 режимах. [19] |
Преобразование части поглощенной световой энергии накачки в тепловую в объеме активной среды происходит практически мгновенно по сравнению с процессами теплопроводности между соседними участками среды и теплообмена с другими элементами излучателя. Время установления стационарного теплового режима активного элемента и время тепловой релаксации к исходному состоянию может изменяться в широких пределах в зависимости от геометрии элемента, теплофизи-ческих свойств его материала и эффективности охлаждения, но даже для такого хорошо проводящего материала, как кристалл граната, при эффективном охлаждении эти времена составляют несколько секунд и более. [20]
 |
Зависимость периода осцилляции реакции Белоусова-Жаботинского от времени термической релаксации реактора Условия те же, что на ( кривая J. [21] |
Это свидетельствует о нетепловой природе автоколебаний. В то же время для второй реакции по достижении некоторого критического значения времени тепловой релаксации реактора осцилляции немедленно исчезают. Это убедительно свидетельствует в пользу предположения о термокинетическом характере автоколебательного режима данной реакции. [22]
Если неравенства Td С 1 и А г С 1 не выполняются, то процесс саморазогрева не является скачкообразным, и тепловой взрыв называется вырожденным. Сравнивая выражения для tad и чисел Семенова, Франк-Каменецкого, нетрудно увидеть, что последние представляют собой отношение времени тепловой релаксации реакционной зоны ( при ньютоновском теплообмене для Se и кондуктивном теплообмене для Fk) к времени полного тепловыделения в адиабатических условиях. Числа Se и Fk отражают основную идею теплового взрыва. [23]
Термочувствительный параметр - прямое падение напряжения коллектор-база - используется для измерения температуры перехода германиевых и кремниевых, сплавных и диффузионных приборов, имеющих большую постоянную времени тепловой релаксации кристалла. Метод применяется в тех же случаях, где и метод прямого падения напряжения эмиттер - база, при условии равномерного распределения тока по площади коллекторного перехода. При неравномерном распределении температуры по площади коллектора метод дает еще большую ошибку, чем метод прямого падения напряжения эмиттер - база. [24]
Оно определяет скорость повышения температуры после начала действия СВЧ импульса. Чем короче импульс по сравнению с тт, тем большую импульсную мощность способен выдержать диод. Для упомянутого выше диода время тепловой релаксации тт составляет примерно 1 мксек. [25]
Для измерений на частоте 36 Ггц Фоусетт [93] использовал устройство, показанное на рис. 6.6, в. Волноводный резонатор, возбуждаемый через отверстие связи, закрыт на одном конце пластиной исследуемого металла, а на другом - медной пластиной, которая служит опорным эталоном. Пластины не касаются других стенок резонатора, и для предотвращения утечки энергии предусмотрено множество дросселей. Медные стержни выведены через камеру для обеспечения хорошего контакта с внешней ванной жидкого гелия. Испытуемые пластины, имеющие теплоемкость С, соединены с медными стержнями медно-никелевыми проводами, которые имеют высокое тепловое сопротивление R, так что время тепловой релаксации RC составляет порядка нескольких секунд. [26]
Страницы: 1 2