Время - включение - транзистор
Cтраница 1
Время включения транзистора, рассчитанное для первого случая ( 1) Вкл зф ф 0 085 0 18 0 26 мкс ( Д / 6 0 5 В); для второго случая ( Г61) вкл 0 26 0 96 1 22 мкс. [1]
Таким образом, время включения транзистора сильно снижается с возрастанием коэффициента насыщения или при постоянном токе коллектора - с возрастанием тока базы. [2]
Из (4.6) видно, что время включения транзистора зависит не только от расчетного коэффициента насыщения sP, но и от фазы включения транзистора Q. [3]
Приблизительно такой же порядок имеет и время включения транзистора Т, определяемое между моментом появления базового тока и моментом достижения коллекторным током такого значения, когда коэффициент усиления петли положительной обратной связи, увеличиваясь, достигнет единицы. [4]
 |
Эквивалентная схема триггера в регенеративной стадии при прямом переключении. [5] |
Приблизительно такой же порядок имеет и время включения транзистора Ti, определяемое между моментом появления базового тока и моментам достижения коллекторным током такого значения, когда коэффициент усиления петли положительной обратной связи, увеличиваясь, достигнет единицы. [6]
Исключение сквозных токов в переключателях за счет задержки времени включения противотактных транзисторов приводит к тому, что на время действия импульса иуфВ, все транзисторы оказываются выключенными. Ток нагрузки и ток, обусловленный энергией, накопленной в индук-тивностях РО, замыкаются через ЯСД-цепи, иараметрьв которых необходимо выбирать по зависимостям, полученным в § 2.3. При включении транзистора вся энергия конденсатора С1 ( С2) ( см. рис. 4.8) рассеивается на разрядном резисторе R2 ( R4) и на силовом транзисторе. [7]
Поэтому исключается время рассасывания неосновных носителей, а также снижено время включения транзисторов, поскольку рабочие точки находятся в активной области и на краю области отсечки. [8]
Из приведенных соотношений следует, что увеличение тока базы, открывающего транзистор ( увеличение коэффициента насыщения s), улучшает статические свойства ключа ( уменьшается остаточное напряжение Ока) и уменьшает время включения транзистора. G другой стороны, повышение коэффициента насыщения приводит к увеличению времени выключения транзистора вследствие возрастания времени рассасывания. Требуемое быстродействие ключевой схемы достигается путем форсировки отпирающего и запирающего токов базы при включении и выключении транзисторов. [9]
С этой целью для выбранного типа транзистора снимается семейство зависимостей / б / ( вк, / к) - Задаваясь допустимым временем включения транзистора ( например, ВК 0 1ГМИН) и возможным значением тока / к, можно установить необходимую величину тока базы в режиме форсирования. В качестве примера укажем, что у транзисторов типа МП 16 время включения транзистора около 1 мксек обеспечивается током базы / б - 2 ма для значительного диапазона токов коллектора / к 5 - 4 - 20 ма. [10]
На рис. 8.4, а представлена схема простейшего устройства, формирующего импульсы, построенная по вертикальному методу. Время включения транзистора зависит ог крутизны нарастания входного тока, его величины и коэффициента усиления транзистора. Для уменьшения времени включения применяют усилители с положительной обратной связью, или блокинг-генераторы. [11]
В проводящем состоянии ток протекает в цепи тиристора VS и резистора нагрузки Rd. Для запирания на базу транзистора VT подается импульс, который его открывает, в результате чего источник питания Е оказывается подключенным к тиристору VS и запирает его. В этой схеме управления время включения транзистора должно быть равно времени включения тиристора. [12]
 |
Временные диаграммы напряжений и токов при переключении транзистора в ключе. [13] |
С появлением базового тока / 6i начинается этап включения транзистора. Транзистор можно рассматривать как устройство, управляемое зарядом базового тока. Коллекторный ток г к достигает установившегося значения за время включения транзистора вкл, необходимое, чтобы в области базы накопился соответствующий этому току заряд носителей. [14]
Страницы: 1