Cтраница 3
К тому же система предъявляет еще ряд дополнительных требований к передающим трубкам. Во-первых, их разрешающая способность должна быть чрезвычайно высокой. Во-вторых, время фиксирования топографической информации должно быть меньше 8 не, время ее запоминания ( удержания) около 40 мс, время стирания - меньше длительности обратного хода луча при смене кадров. [31]
Стирание ( удаление электронов с плавающего затвора) производится облучением кристалла ультрафиолетовым светом, для чего в корпусе микросхемы предусматривается окно с кварцевым стеклом. По действием света электроны приобретают энергию, достаточную для перехода с плавающего затвора в диоксид. Далее они дрейфуют в подложку, потенциал которой должен быть выше, чем на управляющем затворе. Время стирания порядка 1 мин. Для проведения этой операции микросхема должна быть извлечена из устройства и поставлена в специальную установку стирания, что практически не всегда удобно, причем стирается содержимое всего накопителя. [32]
Главные недостатки запоминающих трубок с видимым изображением заключаются в их малых размерах, трудности удаления ранее выведенного изображения и в сравнительно плохом качестве изображения. Отсутствие избирательного стирания части изображения в таких дисплеях затрудняет организацию гибкой интерактивной графической системы. Изображение на экране может быть стерто полностью в течение - 0 5 с. Во время стирания на экране появляется яркая вспышка. [33]
Под воздействием ультрафиолетового излученич галоидное серебпо диссоциирует, окрашивая, таким образом, стекло. Этот процесс обратим, причем обратный процесс ускоряется нагреванием или действием длинноволнового ( красного) излучения. Большим преимуществом фотохромных стекол является возможность осуществления практически бесконечного числа циклов запись - стирание без изменения фотохромных свойств материала. Для стирания изображения применяют нагрев до 200 С. Время самопроизвольного стирания варьирует от нескольких секунд до нескольких часов в зависимости от типа стекла и его предварительной термообработки. [34]
В исходном состоянии МНОП-транзисторы закрыты и имеют высокое сопротивление между стоком и истоком. Под действием этого напряжения возникает туннельный ток электронов сквозь тонкий слой оксида. На границе раздела оксид - нитрид кремния накапливается заряд электронов, захваченных ловушками в запрещенной зоне. Изолирующий оксид предотвращает утечку заряда после снятия с затвора импульса напряжения. Время записи составляет 50 - 500 икс. Чтобы снять, накопленный заряд ( стереть информацию), на затвор подается отрицательное напряжение 20 - 30 В. Время стирания составляет около 50 мс. [35]
Тонкий оксид, который в МНОП-транзисторах называют также туннельным, имеет толщину всего около 2 - 4 нм; слой нитрида кремния имеет толщину 40 - 70 нм. Используемые в схемах управления типовые МОП-транзисторы имеют толщину подзатворного оксида 50 - 80 нм. В исходном состоянии МНОП-транзисторы закрыты и имеют высокое сопротивление между стоком и истоком. Под действием этого напряжения возникает туннельный ток электронов сквозь тонкий слой оксида. На границе раздела оксид - нитрид кремния накапливается заряд электронов, захваченных ловушками в запрещенной зоне. Изолирующий оксид предотвращает утечку заряда после снятия с затвора импульса напряжения. Время записи составляет 50 - 500 мкс. Чтобы снять накопленный заряд ( стереть информацию), на затвор подается отрицательное напряжение 20 - 30 В. Время стирания составляет около 50 мс. [36]