Cтраница 2
При увеличении питающего напряжения изменяются параметры домена: увеличиваются ширина и потенциал домена, соответствующие стационарному насыщенному домену. Естественно, что с увеличением потенциала домена растет и время его формирования. Это значит, что при определенных для каждого диода перенапряжениях время формирования домена в диоде может стать сравнимым с периодом высокочастотного поля, и режим работы диода перейдет в гибридный. Напряжения, которые необходимы для этого, зависят от параметров материала полупроводника и характеристик диода-концентрации электронов п0, подвижности носителей fib длины L. При увеличении рабочей частоты режим работы диода Ганна будет переходить в гибридный тогда, когда длительность высокочастотного периода начнет приближаться ко времени формирования домена сильного электрического поля. [16]
При увеличении питающего напряжения изменяются параметры домена: увеличиваются ширина и потенциал домена, соответствующие стационарному насыщенному домену. Естественно, что с увеличением потенциала домена растет и время его формирования. Это значит, что при определенных для каждого диода перенапряжениях время формирования домена в диоде может стать сравнимым с периодом высокочастотного поля, и режим работы диода перейдет в гибридный. Напряжения, которые необходимы для этого, зависят от параметров материала полупроводника и характеристик диода-концентрации электронов п0, подвижности носителей fib длины L. При увеличении рабочей частоты режим работы диода Ганна будет переходить в гибридный тогда, когда длительность высокочастотного периода начнет приближаться ко времени формирования домена сильного электрического поля. [17]