Инта

Cтраница 2

Наблюдение же над инте нсивнос-т ь ю соответствующей спектральной линии позволяет судить и о количестве данного элемента в пробе. Эта задача гораздо более сложная потому, что хотя интенсивность спектральных линий возрастает вместе с концентрацией данного элемента, однако связь между интенсивностью и концентрацией не проста. Существует много причин, могущих влиять на интенсивность линии при неизменной концентрации. [16]

Ароматические азосоединения представляют огромный инте рее потому, что все они обладают той или иной окраской и многие из них являются ценными красителями. [17]

Математическая модель представляет систему нелинейных инте / ро-дифференциальных уравнений. Систолический выброс задается в модели функциональными генераторами, имитирующими повышение давления в полостях сердца при их систолическом сокращении, соответственном физиологическим данным о гетеро - и гомеометрической регуляции диастолической активности. [18]

Схема ванны с однобортовым отсосом.| Линии токов двух плоских стоков - точек. [19]

Из различных случаев течения представляют инте рее те, при которых L0 / L l, так как при этом не наблюдается прорыва восходящего потока. [20]

У вас есть доступ в Инте нет. [21]

Для анализа работы колонны представляет большой инте рее установить связь и зависимость между составом уя паров, поднимающихся с верхней тарелки отгонной секции, и составом хк флегмы, стекающей с нижней тарелки укреп ляющей секции. [22]

ИЛк Фазпын метод представляет большой практический инте - КЗК откРЫВает возможность одновременного промышлен - - ЛуЧеНИЯ дешспо перекиси водорода, которая с успехом Ъ С110ЛЬЗС) 15ан Ч Для синтеза глицерина ( стр. [23]

Я чувствую, что мне противостоит инте / ыект, но совсем иною типа, чем мой собственный. Он не сконцентрирован в одной личности, а рассеян во всем окружающем пространстве. [24]

От режима термической обработки также зависит инте ность процессов коррозии сплавов Zr с Nb. В этом отноше: предпочтительнее режим, состоящий из закалки и послед го длительного отпуска при 500 С. [25]

Формирование остров ков с электропроводностью га-типа на монокристаллической подложке кремния с электропроводностью р типа планарно-эпитаксиальным методом с разделительной диффузией. [26]

Электронно-дырочный переход, изолирующий отдельные элементы полупроводниковой инте тральной микросхемы друг от друга, может быть создан различными способами, которых в настоящее время разработано более десятка. [27]

Совокупность этих общих решений и дает общий инте. [28]

Пусть функция / ( ж) абсолютно инте рируема на Лп, и для нее справедлива формула обращения преоб шзования Фурье. [29]

Кто руководит этим блоком, в чьих инте - ресах он действует. [30]

Страницы: 1 2 3 4