Cтраница 3
Недавно в теории фотопроводимости было сформулировано простое и очень важное соотношение между основными параметрами фотопроводников: чувствительностью, временем фотоответа и проводимостью, определяемое произведением коэффициента усиления на ширину по: осы. Это соотношение позволяет оценить пределы применимости прибора, действие которого основано на фотоэффекте. Кроме того, оно позволяет дать более строгое определение таким понятиям, как уровни прилипания, центры рекомбинации, время жизни свободных носителей и время фотоответа. Это соотношение используется также при аналиче явлений протекания тока, ограниченного объемным зарядом, в твердых телах, что дает возможность связать эти явлении с влиянием электрических контактов на токи, текущие в объеме. [31]
К числу перспективных пороговых фотоприемников относятся фоторезисторы на основе монокристаллов CdS и CdSe. На спектральных характеристиках чувствительности приемников на основе CdS и CdSe обычно проявляется хорошо выраженный пик, положение которого можно изменять введением таких примесей, как медь и хлор. Длительная предварительная выдержка при высоком уровне освещенности снижает фоточувствительность и время фотоответа. Выдержка в темноте, предшествующая освещению, вызывает рост этих пар аметров. Фоторезисторы имеют время фотоответа, измеряемое миллисекундами. [32]
Рассматриваемая здесь модель отличается от модели, разобранной в § 3, только тем, что в ней состояния Nt распределены по энергии, в то время как в § 3 предполагалось, что они локализованы на некотором уровне, расположенном между F. В модели, рассматриваемой в § 3, время фотоответа не зависит от интенсивности света. Насколько известно автору, другой модели, дающей для однородного фотопроводника уменьшение времени фотоответа с ростом интенсивности света при постоянном времени жизни, не существует. [33]
Представление о том, что время фотоответа отличается от времени жизни ( превосходит его), очень важно для объяснения многих явлений в высокоом-ных фотопроводниках. Часто предполагается, что время фотоответа равно времени жизни при любом процессе возбуждения. Однако многочисленные опыты с такими фотопроводниками не подтверждают этого вывода. В некоторых высокоом ных фотопроводниках, ьремя Жцзни для которых меньше 10 - 9 сек, наблюдаются времена фотоответа от нескольких секунд до сотен секунд. [34]
Однако эти свойства довольно просты. Если в объеме фотопроводника возбуждаются носители только одного знака, то стационарный ток невозможен. Если в области объемного заряда возбуждаются носители одного знака или носители обоих знаков возбуждаются в объеме, то через контакт может протекать стационарный ток, равный скорости возбуждения носителей в образце. Это означает, что коэффициент усиления равен единице. Время фотоответа равно времени дрейфа и может быть сделано столь малым, насколько позволяет скорость дрейфа носителей при насыщении. [35]
К числу перспективных пороговых фотоприемников относятся фоторезисторы на основе монокристаллов CdS и CdSe. На спектральных характеристиках чувствительности приемников на основе CdS и CdSe обычно проявляется хорошо выраженный пик, положение которого можно изменять введением таких примесей, как медь и хлор. Длительная предварительная выдержка при высоком уровне освещенности снижает фоточувствительность и время фотоответа. Выдержка в темноте, предшествующая освещению, вызывает рост этих пар аметров. Фоторезисторы имеют время фотоответа, измеряемое миллисекундами. [36]