Время - хранение - информация
Cтраница 3
Считывают информацию, прикладывая к затвору напряжение, значение которого находится между пороговыми напряжениями низко - и высокоомного состояния. Напряжение считывания составляет обычно около 5 В, а время считывания - 100 не. Время хранения информации в МНОП-транзисторах достигает 10 лет. Для матриц на основе МНОП-транзисторов характерно очень большое допустимое число циклов запись / стирание, существенно большее, чем для матриц на МОП-транзисторах с плавающим затвором. На рис. 4.5 показан фрагмент ПЛМ на основе запоминающих МНОП-транзисторов и обычных управляющих и нагрузочных МОП-транзисторов. [31]
Плотность магнитной записи может достигать до 25 - 30 импульсов на 1 мм. Скорость записи достигает 2 м / сек. Время хранения информации составляет несколько лет. [32]
Время хранения информации 1000 часов. [33]
Запоминающие трубки используют двойное преобразование информации: первое преобразование - запись информации, второе - считывание или воспроизведение информации. При необходимости кроме записи и считывания в запоминающих трубках может происходить и стирание информации. Время хранения информации изменяется от долей секунды до нескольких дней. [34]
Считывают информацию, прикладывая к затвору напряжение, значение которого находится между пороговыми напряжениями низко - и вы-сокоомного состояния. Напряжение считывания составляет обычно около 5 В, а время считывания - 100 не. Время хранения информации в МНОП-транзисторах достигает 10 лет. Для матриц на основе МНОП-транзисто-ров характерно очень большое допустимое число циклов запись / стирание, существенно большее, чем для матриц на МОП-транзисторах с плавающим затвором. [35]
Конденсатор С в этом случае заряжается до величины опорного напряжения. После прекращения действия управляющего импульса записи и во время хранения информации диод Д ( смещается в обратном направлении, а напряжение на диоде Д2 также закрывает его, несмотря на то, что в первый момент после записи информации оно равно нулю. Во время хранения информации напряжение на верхней обкладке конденсатора положительно. [36]
 |
Схема простейшего запоминаю-щего элемента в виде конденсатора в ЗУ на МОП-структурах.| Запоминающий элемент по-стоянных ЗУ на П - образных сердеч-никах. [37] |
Время разряда определяет время хранения информации емкостью и составляет сотни ( иногда тысячи) микросекунд. [38]
 |
Интегральные схемы демультиплексоров. [39] |
Цифровые запоминающие устройства предназначены для записи, хранения и выдачи информации, представленной в виде цифрового кода. Основными характеристиками запоминающих устройств являются: их информационная емкость, быстродействие и время хранения информации. [40]
 |
Различные варианты линии ПЗС с перекрывающимися затворами. [41] |
Хранение и перенос информации, очевидно, можно осуществлять только за время, в течение которого процессы термической генерации и диффузии не успевают значительно изменить введенный заряд неосновных носителей. Следовательно, ПЗС в принципе могут быть использованы для разработки динамических устройств. В последнее время, благодаря достижениям технологии, удалось резко уменьшить генерационно - рекомбинационные потери на границе раздела структур Si - SiO2, доведя время хранения информации до 103 сек при комнатной температуре. Понижение температуры резко увеличивает время хранения информации ( при температуре жидкого азота - до многих месяцев), а использование широкозонных полупроводников ( типа CdS) в качестве базового материала увеличивает время хранения до многих часов уже при комнатной температуре. Нижняя граница для переноса определяется потерями переноса, которые возрастают с ростом тактовой частоты. [42]
 |
Телевизионная система накопления информации на основе видикона ЛИ-414, ЛИ-429. [43] |
На рис. 5.10 приведена схема телевизионной системы памяти на основе видикона с запоминанием типа ЛИ-414, ЛИ-429. Электронный луч трубки 3 движется по люминофорному экрану синхронно с движением приемно-передающего тракта. Экран ЭЛТ посредством оптической системы 8 проецируется на мишень видикона с запоминанием, который находится в передающей камере 9 промышленной телевизионной установки И. Время хранения информации 10 - 15 мин, причем удовлетворительная работа наблюдается лишь при повышенных скоростях механической развертки. К недостаткам следует отнести низкую разрешающую способность, небольшое число градационных полутонов и малое время памяти. [44]
В процессе дальнейшей тепловой обработки термопластика возникают механические деформации его поверхности, величина которых пропорциональна записываемому сигналу. Эти деформации нарушают оптическую однородность пленки для проходящих через нее лучей света, что позволяет получить проекцию изображения на большом экране. Время воспроизведения изображения, содержащего миллион элементов, составляет около 5 с. Время хранения информации варьируется от долей секунды до весьма больших величин за счет регулирования температуры термопластика. Известно устройство подобного типа, но с применением ЭЛТ, позволяющее получать изображение в течение миллисекунд. В устройство входит барабан из материала с высокой температурой плавления, на поверхность которого наносится электропроводный слой, а затем слой термопластического материала с низкой температурой плавления. Луч падает на поверхность барабана, изображение траектории луча проявляется при нагреве и фиксируется охлаждением. Имеются системы для записи информации на термопластическом материале с помощью луча лазера. [45]
Страницы: 1 2 3 4