Время - восстановление - обратное сопротивление - диод
Cтраница 2
 |
Эквивалентная схема разряда конденсатора ячейки. [16] |
При анализе процессов принимаем ряд допущений. В частности, полагаем, что время установления прямого сопротивления и время восстановления обратного сопротивления диодов в схеме равны нулю. Также считаем, что магнитные характеристики сердечников коллекторного трансформатора не зависят от величины тока коллектора. Входной открывающий ток транзистора в 5 - 10 раз превышает ток насыщения базы. [17]
Амплитудное значение обратного тока Irr зависит от скорости спада прямого тока ( - diT / dt) и времени жизни дырок в базе п тиристора. Теоретически время восстановления обратного сопротивления перехода ] тиристора, как и время восстановления обратного сопротивления диода, составляет примерно 0 6 - 0 7 тр. [18]
 |
Виды нагрузок преобразователя напряжения. [19] |
Включаемый после выпрямителя фильтр для сглаживания пульсации оказывает существенное влияние на процесс переключения транзисторов преобразователя напряжения. Если фильтр начинается с емкости, то время перекрытия фаз выпрямителя уменьшается за счет сокращения времени восстановления обратного сопротивления диода, а это, в свою очередь, улучшает фронт выходного напряжения. [20]
Интервал времени от момента, когда ток через диод равен нулю, до момента, когда обратный ток уменьшается до заданного уровня отсчета / от, называется временем восстановления обратного сопротивления диода. [21]
Это происходит вследствие процесса рассасывания неосновных носителей ( при подаче обратного напряжения), накопленных за время проте-каниятока в прямом направлении. Этот процесс рассасывания вызывает всплеск тока в противоположном направлении, причем величина всплеска значительно превышает установившуюся величину обратного тока. Время, в течение которого обратный ток диода приходит к установившемуся значению, называется временем восстановления обратного сопротивления диода. [22]
Так, при увеличении прямого тока, проходящего через диод до переключения на обратное напряжение, время восстановления обратного сопротивления увеличивается, что вызвано необходимостью рассасывания большего количества накопленных в базе неосновных носителей заряда. Однако если выброс обратного тока при переключении диода вызван перезарядкой барьерной емкости ( см. § 3.18), то время перезарядки возрастает с увеличением обратного напряжения, что соответствует увеличению времени восстановления обратного сопротивления диода. [23]
Следовательно, в момент подачи обратного потенциала протекает значительный обратный ток. Непосредственно вслед за приложением обратного потенциала обратное сопротивление диода экспоненциально увеличивается со временем, я большой обратный ток уменьшается со временем до счень малой величины, определяемой статическим высоким обратным сопротивлением диода. В общем случае указанная характеристика не вызывает ограничений в применении диодов точечно-контактного типа, так как время восстановления обратного сопротивления ( восстановление на 90 %) составляет обычно лишь небольшую долю микросекунды. Однако имеется строгое ограничение в применении плоскостных диодов, так как время восстановления обратного сопротивления может доставлять несколько микросекунд. Большинство кремниевых диодов, применяемых в электронных схемах с низким уровнем сигнала, относится к плоскостному типу, а германиевые диоды аналогичного применения относятся t точечно-контактному типу. Поэтому вопросы, юзникающие при расчете времени восстановления обратного сопротивления диода, обычно связаны с применением кремниевых диодов. Обычно постоянная времени соответствует времени, требуемому для достижения обратным сопротивлением диода величины 50 000 ом. Если сопротивление внешней цепи диода мало по сравнению с величиной 50 000 ом, го эффективная постоянная времени цепи будет значительно меньше постоянной времени восстановления обратного сопротивления диода. Эту особенность следует учитывать, когда сигнал содержит частотные составляющие порядка от 1 / Т до 10 / Г или выше. Для кремниевых плоскостных диодов существует дополнительное ограничение. Эффективное напряжение, при кото - юм возбуждается проводимость в прямом направлении, больше изменяется с температурой для кремниевых плоскостных диодов, чем для германиевых точечно-контактных диодов. Это имеет особенно важное значение в случае применения диода в режиме малых сигналов. [24]
Их работа в динамике характеризуется конечным временем переключения из проводящего состояния в запертое и обратно. Это связано с накоплением и рассасыванием неравновесного заряда в диоде. Наличие заряда говорит о емкости диода. Обычно ее разделяют на диффузионную емкость Сдф3, отражающую перераспределение заряда в базе, и на барьерную CQ, отражающую перераспределение зарядов на р - - переходе. Причем время рассасывания накопленного в n - слое заряда рас зависит от прямого тока и в сумме с / с будет временем восстановления обратного сопротивления диода. [25]
Следовательно, в момент подачи обратного потенциала протекает значительный обратный ток. Непосредственно вслед за приложением обратного потенциала обратное сопротивление диода экспоненциально увеличивается со временем, я большой обратный ток уменьшается со временем до счень малой величины, определяемой статическим высоким обратным сопротивлением диода. В общем случае указанная характеристика не вызывает ограничений в применении диодов точечно-контактного типа, так как время восстановления обратного сопротивления ( восстановление на 90 %) составляет обычно лишь небольшую долю микросекунды. Однако имеется строгое ограничение в применении плоскостных диодов, так как время восстановления обратного сопротивления может доставлять несколько микросекунд. Большинство кремниевых диодов, применяемых в электронных схемах с низким уровнем сигнала, относится к плоскостному типу, а германиевые диоды аналогичного применения относятся t точечно-контактному типу. Поэтому вопросы, юзникающие при расчете времени восстановления обратного сопротивления диода, обычно связаны с применением кремниевых диодов. Обычно постоянная времени соответствует времени, требуемому для достижения обратным сопротивлением диода величины 50 000 ом. Если сопротивление внешней цепи диода мало по сравнению с величиной 50 000 ом, го эффективная постоянная времени цепи будет значительно меньше постоянной времени восстановления обратного сопротивления диода. Эту особенность следует учитывать, когда сигнал содержит частотные составляющие порядка от 1 / Т до 10 / Г или выше. Для кремниевых плоскостных диодов существует дополнительное ограничение. Эффективное напряжение, при кото - юм возбуждается проводимость в прямом направлении, больше изменяется с температурой для кремниевых плоскостных диодов, чем для германиевых точечно-контактных диодов. Это имеет особенно важное значение в случае применения диода в режиме малых сигналов. [26]
Страницы: 1 2