Время - обратное восстановление - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Прошу послать меня на курсы повышения зарплаты. Законы Мерфи (еще...)

Время - обратное восстановление

Cтраница 2


Большинство параметров полупроводниковых приборов изменяется в зависимости от режима работы и температуры, например, время обратного восстановления выпрямительных диодов зависит от значения прямого тока, наряжения и сопротивления нагрузки, значительно изменяется в диапазоне температур.  [16]

17 Кривые тока и напряжения на тиристоре при переклю. [17]

Восстановление запирающих свойств тиристора в прямом направлении наступает через промежуток времени, называемый временем выключения, который намного больше времени обратного восстановления.  [18]

ПР ( время прямого восстановления) при переключении из закрытого состояния в состояние прямой проводимости и к 4ос, ОБР ( время обратного восстановления) при переключении из открытого состояния - в закрытое.  [19]

Современные кремниевые выпрямительные диоды выпускаются на предельные токи до 30 А, обратные напряжения до 2000 В при частотах до 100 кГц, время обратного восстановления - десятые и сотые доли мкс.  [20]

Ср - средний обратный ток диода / обр пер - постоянный обратный перегрузочный ток диода / отсч - ток, при котором производится отсчет времени обратного восстановления диода / вп - выпрямленный ток диода / вп Ср - средний выпрямленный ток диода / вп.  [21]

22 Включение Рез тиристор при его выключении. Сопротив-тирйстора с шунти - ление резистора должно быть на несколько, рующей ЯС-цепочкой порядков больше прямого сопротивления вентиля. При этом потери в резисторе от прямого тока тиристора незначительны, а небольшой обратный ток тиристора, проходящий через резистор и вентиль, обеспечивает неизменную величину времени обратного восстановления тиристора. [22]

Для уменьшения мощности коммутационных потерь при выключении тиристоров последовательно с ними целесообразно включать высокочастотные вентили, время восстановления запирающих - 04 - свойств которых значительно меньше времени обратного восстановления тиристоров / в. В этом случае происходит резкое уменьшение обратного тока тиристора в момент коммутации.  [23]

Подразделение на группы в стандартах СЭВ оговорено только для быстровосстанавливающихся диодов. Это подразделение проводится по значениям времени обратного восстановления диодов.  [24]

Как правило, этот ток почти на порядок превосходит средний прямой ток. Динамические свойства диода оцениваются е помощью времени обратного восстановления диода вос.  [25]

Исходными данными для расчета силовых диодов, как правило, являются требуемые значения повторяющегося импульсного обратного напряжения и предельного тока при заданной температуре корпуса. В случае быстровосстанавливающихся диодов учитывается также заданное значение времени обратного восстановления. После окончания расчетов по этим исходным данным проверяется выполнение прочих требований к параметрам диодов. Если при этом расчетные значения всех параметров удовлетворяют заданным, то расчет на этом заканчивается. Если же расчетные значения одного или нескольких параметров не удовлетворяют заданным, то либо вносятся соответствующие корректировки в расчет, либо по согласованию с заказчиком корректируют технические требования к указанным параметрам диодов.  [26]

27 Временные диаграммы при запирании диода. [27]

В начале процесса обратного восстановления напряжение на диоде изменяется слабо, а небольшое снижение прямого напряжения происходит вследствие изменения знака падения напряжения в ООЗ, что связано с изменением направления тока. Длительность прохождения обратного тока, показанная на рис. 2.7, обозначается как t - время обратного восстановления. Это время прямо пропорционально величине обратного тока / и заряду Q, который накоплен в / - области. Обратный ток не устраняется только изменением запасенного заряда. Он изменяется также вследствие рекомбинации носителей. При / о6р / почти весь заряд выносится из / - области за время много меньшее, чем та, и только малая его часть исчезает из-за рекомбинации. В пределе, если / обр 0, заряд полностью исчезает в результате рекомбинации, и в этом случае t та.  [28]

Выпускаются в металлокерамичсском корпусе с гибким ьыиодом. Имеют 24 типономинала: 8 классов по напряжению ( от 5 до 12) и 3 группы по времени обратного восстановления ( 3, 4, 5) для всех классов по напряжению. Охлаждение воздушное естественное или принудительное. Обозначение тнпоиоминалэ и полярность БЫВОДОЗ приводятся на корпусе.  [29]

Диоды ВЧ2 - 200 имеют 20 типономиналов, 10 классов по напряжению ( от 1 до 10) и 2 группы по времени обратного восстановления ( 11, 12) для каждого класса по напряжению. Обозначение типономинала и полярность выводов приводятся на корпусе. Охлаждение воздушное естественное или принудительное.  [30]



Страницы:      1    2    3