Большая Энциклопедия Нефти и Газа

Женщина верит, что дважды два будет пять, если как следует поплакать и устроить скандал. Законы Мерфи (еще...)

Время - выборка

Cтраница 2

Магнитная карта.  [16]

Время выборки карты из магазина 200 мксек, время считывания данных с карты 235 мксек, время возраста карты в магазин 46 мксек. Предполагают, что карта выдержит 5 тыс. обращений к ней.  [17]

Время выборки амплитудного детектора - это минимальное время, необходимое для перехода из режима хранения в режим слежения за входным сигналом с заданной точностью. Это время определяется длительностью заряда запоминающего конденсатора и установления выходного напряжения с заданной точностью.  [18]

Время выборки 36-разрядных слов 750 сек, за одно обращение к ОЗУ выбирается слово.  [19]

Время выборки основной памяти составляет 540 не для 4 байтов данного и 8 байтов команды. Цикл памяти для 4 байтов данного составляет 607 5 не.  [20]

Схемы УВХ на двух ОУ. с входным и выходным повторителями ( а, с общей обратной связью ( б и с емкостью хранения в цепи обратной связи ( в.  [21]

Во время выборки транзистор VT1 заперт, а стабилитрон VD включен и напряжение на затворе меньше напряжения на стоке на напряжение стабилитрона С / ст. При этом транзистор VT открывается и конденсатор хранения С р заряжается до напряжения мвх.  [22]

Уменьшение токов утечек МДП-транзистора ( а и коммутационной помехи ( б в устройствах выборки - хранения.  [23]

Обычно превалирует время выборки, основной составляющей которого является заряд запоминающего конденсатора. Длительность этого процесса прямо пропорциональна емкости конденсатора С3, а погрешность УВХ обратно пропорциональна этой емкости. Компромиссным решением является построение двухкаскадного УВХ.  [24]

Память, время выборки из которой соизмеримо с временем выполнения элементарной операции в арифметико-логическом устройстве.  [25]

Трехмерная структура, используемая в КМОП ЭСППЗУ объемом 256 К бит. Содержит р-канальный МОП-транзистор на поликремнии и элемент памяти. 1 - запоминающий транзистор.| Конструкция стандартного элемента динамического ЗУ.| Конструкция элемента на основе конденсатора в форме канавки. 1 - шина слов. 2 - шина данных ( алюминий. 3 - высокоомная область. 4 - поликремниевая плоская ячейка ( противостоящие электроды запоминающего конденсатора. 5 - область накопления заряда.| Конструкция элемента на основе многослойного конденсатора. 1 - шина слов ( первый слой поликремния. 2 - шина данных ( АП. 3 - плоская ячейка ( противостоящие электроды запоминающего конденсатора, третий слой поликремния. 4 - область накопления заряда ( второй слой поликремния. 5 - высокоомная область. 6 - сток. 7 - исток. 8 - второй слой поликремния.  [26]

Указанное значение времени выборки 17нс приближается к величинам, свойственным биполярным ЭСЛ статических ЗУПВ.  [27]

Для уменьшения времени выборки допускается симметрирование усилителя подключением дополнительных емкостей к разрядным линиям величиной 100 пФ, подбираемых при настройке ЗУ экспериментально.  [28]

Для уменьшения времени выборки допускается симметрирование усилителя подключением дополнительных емкостей к разрядным линиям величиной 100 пФ, подбираемых при настройке ЗУ экспериментально.  [29]

Рассматриваемое устройство имеет время выборки 0 4 - 1 икс.  [30]

Страницы:      1    2    3    4