Время - вывод
Cтраница 4
В cooTBCTCTRini с планом электростанции производят ремонт основного оборуловаппя Время вывода оборудования в капитальный ремонт и обьсм работ фиксируются в ремонтных журналах. Документы, оформляемые во время капитального ремонта, затем направляются в архив алектросганипп и в архив службы ЭРТЛЮ и используются при составлении отчетности РЭУ по капитальным ремонтам оборудования и для планирования последующих ремонтов. [46]
Коррозионное разрушение трубок, объяснимое тем, что во время вывода ГМК. [47]
При управлении заполнением заголовка и обработкой расчетной части документа во время вывода на печать цифровой информации, знаков и символов перфорация исключается. [48]
 |
Варианты схем осуществления отрицательной обратной сиязи ( ООС в МТЯ. [49] |
Быстродействие МТЯ ограничивается временем ввода транзистора в состояние насыщения и временем вывода его из этого состояния. ПОС способствует улучшению быстродействия МТЯ, сокращая время ввода транзистора в состояние насыщения ( время тп. Помимо предотвращения ложных срабатываний введение смещения благоприятно сказывается и на быстродействии МТЯ, сокращая тр. Это влияние объясняется следующим образом. В результате неосновные носители заряда рассасываются из n - области базы не только в коллекторную, но и в эмиттерную цепь, чем и объясняется уменьшение времени tp при введении смещения. [50]
 |
Варианты осуществления отрицательной обратной связи в ФТЯ. [51] |
Быстродействие ФТЯ ограничивается временем ввода триода в состояние насыщения и временем вывода его из этого состояния. ПОС улучшает быстродействие ФТЯ, сокращая время ввода триода в состояние насыщения ( время тп. [52]
 |
Варианты схем осуществления отрицательной обратной связи ( ООС в МТЯ. [53] |
Быстродействие МТЯ ограничивается временем ввода транзистора в состояние насыщения и временем вывода его из этого состояния. ПОС способствует улучшению быстродействия МТЯ, сокращая время ввода транзистора в состояние насыщения ( время тп. Помимо предотвращения ложных срабатываний введение смещения благоприятно сказывается и на быстродействии МТЯ, сокращая тр. Это влияние объясняется следующим образом. Напряжение смещения, приложенное минусом к эмиттерному / - / г-переходу, в процессе вывода транзистора из насыщения действует аналогично напряжению Ек, которое тоже приложено минусом к р-п-переходу коллектора. В результате неосновные носители заряда рассасываются из гьобласти базы не только в коллекторную, но и в эмиттерную цепь, чем и объясняется уменьшение времени тр при введении смещения. [54]
При вычислении средней задержки сообщения в центре необходимо учесть не только время вывода сообщения из накопителя в исходящий канал, но также и время ввода сообщения из входящего канала во входной блок. [55]
Страницы: 1 2 3 4