Cтраница 4
Полученные оценки не противоречат возможным условиям в околопульсарном пространстве, но здесь есть и ряд серьезных трудностей. Во-первых, очень мало время высвечивания электронов. Даже электроны с е е теряют свою энергию за - 10 - 2 сек, а электроны, ответственные за рентгеновское излучение, теряют свою энергию за времена порядка 10 - 5 сек. Это означает, что внутри области излучения должен действовать мощный механизм ускорения, сильно меняющий и условия излучения. [46]
Для трех длин волн получены следующие значения: TO - 34 7 с и во - 19 8 К для А 514 нм; т0 43 5 с и 90 и 31 5 К для А 538 нм; т0 и 305 с и в0 к 33 5 К для А - 619 нм. Для А - 514 нм время высвечивания уменьшается от 14 мкс при в 18 С до 0 1 мкс при в и 116 С. [47]
Различные перемещения выделившихся электронов внутри кристалла обусловливают повышение его электропроводности. Изменение электропроводности происходит и во время высвечивания фосфора. [48]
Время когерентности вынужденного излучения значительно больше времени высвечивания атома. [49]
В работе [4] одноэлектронный метод был применен для исследования времени высвечивания жидких и пластических сцинтилляторов, что позволило получить временное разрешение установки лучше Ю-9 сек. Авторами одноэлектронная методика использована для измерения времени высвечивания электролюминесцентных диодов из карбида кремния при возбуждении их электрическими импульсами длительностью 10-эсекпо основанию. [50]
Рассмотрим произведение шт, которое с точностью до множителя 2л дает отношение времени жизни возбужденного атома к периоду колебаний. Согласно классическим представлениям шт определяет число колебаний за время высвечивания. Другими словами, это есть число волн в отдельном излучаемом атомом цуге. [51]
Рассмотрим произведение сот, которое с точностью до множителя 2я дает отношение времени жизни возбужденного атома к периоду колебаний. Согласно классическим представлениям ют определяет число колебаний за время высвечивания. Другими словами, это есть число волн в отдельном излучаемом атомом цуге. [52]
Тонкие прозрачные пленки ( толщиной - 0 3 - j - l мкм) на поверхности кристалла влияют как на интенсивность, так и на форму спектра люминесценции вследствие интерференции как возбуждающего, так и вторичного излучения. Присутствие пленок не влияет, очевидно, лишь на время высвечивания люминесценции. [53]