Время - движение - носитель
Cтраница 1
Время движения носителей через весь обедненный слой полупроводника tnf в этом случае всегда получается конечным. [1]
 |
Векторная диаграмма токов ( а и эквивалентная схема транзистора с общим эмиттером ( б на высоких частотах. [2] |
Для уменьшения времени движения носителей в базе толщину ее стремятся сделать возможно меньшей. Лучшими в этом отношении являются диффузионные и поверхностно-барьерные германиевые транзисторы. [3]
С увеличением частоты время движения носителей в базе может оказаться соизмеримым с периодом входного напряжения. При этом носители, введенные в базу во время действия максимального значения напряжения мвх, не успевают достичь коллекторного перехода, как напряжение на входе существенно уменьшается. В результате от места повышенной концентрации носителей заряда начинается диффузия их не только к коллекторному, но и к эмнттерному переходу - число рекомбинаций носителей заряда в области базы увеличивается, и доля эмиттерного тока, попадающего в цепь коллектора, уменьшается. [4]
С увеличением частоты время движения носителей в базе может оказаться соизмеримым с периодом входного напряжения. В этом случае носители, введенные в большом количестве в базу во время действия максимального значения входного напряжения, не успевают еще достичь коллекторного перехода, как напряжение на входе существенно уменьшается. В результате от месте повышенной концентрации носителей начинается диффузия их не только к коллекторному, но и к эмиттерному переходам - число рекомбинаций носителей в области базы увеличивается и доля эмиттерного тока, попадающего в цепь коллектора, уменьшается. [5]
Это обусловлено тем, что время движения носителей электричества от эмиттера к коллектору при большой частоте становится соизмеримым со временем изменения подаваемого на транзистор сигнала, и распределение их в базе оказывается неравномерным. В результате изменения направления диффузионного тока в отдельных областях базы часть носителей начинает двигаться не от базы к коллектору, а от базы к эмиттеру. В низкочастотных сплавных транзисторах влияние частоты на работу прибора начинает сказываться при частотах в несколько десятков килогерц, а в высокочастотных диффузионных транзисторах - при частотах в сотни мегагерц. [6]
Из общих физических соображений вполне понятно, что время движения носителей через базу будет тем меньше, чем меньше ширина базы W. [7]
 |
Идеализированные характеристики транзистора.| Кривые, выражающие зависимость SK S0, . c от температуры. [8] |
Инерционность носителей тока приводит также к возникновению между первой гармоникой коллекторного тока и колебательным напряжением на контуре фазового сдвига фар, зависящего от времени движения носителей тока. [9]
Инерционность носителей тока приводит также к возникновению между первой гармоникой коллекторного тока и колебательным напряжением ( на контуре фазового сдвига српр, зависящего от времени движения носителей тока. [10]
 |
Схема генератора на полупроводниковом триоде с комбинированным смещением. [11] |
Но они выражаются более сложными зависимостями, так как должны учитывать коэффициенты передачи напряжения между p - n - переходами и фазовые сдвиги, связанные с временем движения носителей тока. [12]
Условия самовозбуждения транзисторных автогенераторов те же, что и ламповых ( удовлетворение баланса амплитуд и фаз), но они выражаются более сложными зависимостями, учитывающими коэффициенты передачи токов между р-л-переходами и их фазовые сдвиги, обусловленные временем движения носителей тока. При больших углах пробега носителей тока появляется фазовый сдвиг между напряжением обратной связи на базе и первой гармоникой тока базы, значительно возрастает мощность, расходуемая в цеп базы, вследствие чего ухудшаются условия самовозбуждения. По этим причинам коэффициент обратной связи на ВЧ выбирают и 4 - 5 раз больше критического. [13]
ДВИГАТЕЛЬ устанавливает носитель в такое положение, чтобы соответствующий сегмент последнего располагался под преоб-разователем. В некоторых случаях преобразование сигнала осуществляется во время движения носителя. Следовательно, задачей ДВИГАТЕЛЯ является не только установка носителя, но и поддержание требуемой скорости его движения. [14]
Следует отметить, что время нарастания тока не зависит от приложенного напряжения. Это объясняется тем, что с увеличением приложенного напряжения происходит расширение обедненного слоя. Если учитывать время движения носителей через весь обедненный слой, то оно формально всегда равно бесконечности, так как основной вклад здесь вносят электрические поля, стремящиеся к нулю. Если же рассматривать время прохождения носителями только какой-то части обедненного слоя ( например, 0 9W), то при большем приложенном напряжении носители, хотя и движутся все время при больших значениях электрического поля, однако проходят больший путь. [15]
Страницы: 1 2