Время - действие - импульс
Cтраница 2
Измерение времени действия импульса электронной вспышки производят открытым светоприемником. Форма импульса вспышки соответствует форме импульса тока разряда ее накопительного конденсатора. [16]
 |
Формы напряжений на выходе пикового детектора. [17] |
С за время действия импульса всегда успевает зарядиться ао напряжения, равного его амплитуде. [18]
Запирание диода во время действия импульса обеспечивается автоматически - положительный импульс, передаваясь на выход схемы ( на катод диода), запирает его. Отпирание диода в промежутке между импульсами обеспечивается за счет полярности напряжения Д ( в паузе между входными импульсами плюс этого напряжения через Rt приложен к аноду, а минус - к катоду диода), Используя эквивалентные схемы запертого ( см. рис. 3.5, б) и включенного ( см. рис. 3.3, б) диодов, получаем эквивалентную схему цепи, близкую к приведенной на рис. 3.53. При Um ейя влиянием напряжение отсечки можно пренебречь и использовать для оценки значений AI, 62 и / Сс полученные соотношения. [19]
 |
Схема триггера Я-5-типа с коммутирующими транзисторами ( а и ее обозначение ( б. [20] |
При этом во время действия импульса ( 71) коммутирующие транзисторы будут заперты, поскольку на их эмиттеры подан высокий логический уровень. После окончания тактирующего импульса включается транзистор Т ( на его базе высокий уровень), а Т3 остается в запертом состоянии. [21]
Для этого во время действия импульса накачки искусственно уменьшается добротность резонатора, в результате чего условия самовозбуждения не выполняются. По окончании действия накачки, когда на метастабильном уровне накапливаются почти все активные атомы, быстро восстанавливается нормальная добротность резонатора и возбужденные атомы переходят на нижний энергетический уровень, вследствие чего образуется мощный короткий импульс оптического излучения. [22]
При ЯО И за время действия импульса напряжение на конденсаторе не успевает существенно измениться и выходной импульс мало отличается от входного. Такая цепь называется переходной. Она используется, например, для того, чтобы отделить постоянную составляющую напряжения на аноде лампы или коллекторе транзистора предшествующего каскада от сеточной или базовой цепи последующего каскада при усилении или преобразовании импульсов. [23]
При тс tu за время действия импульса напряжение на конденсаторе практически не меняется, поэтому форма выходного напряжения на резисторе R мало отличается от входного. Такая цепь называется переходной. [24]
В этом случае за время действия импульсов МИП характерная глубина, на которую распространяется тепловая волна, значительно меньше Lp ( длина торможения ионов в веществе), и профиль повышенной температуры ( или удельной внутренней энергии) практически совпадает с профилем энерговыделения МИП. [25]
 |
Процесс намагничивания импульсного трансформатора. [26] |
Нелинейный характер сопротивления нагрузки за время действия импульса напряжения сравнительно мало влияет на переходные процессы в трансформаторе, поэтому данное сопротивление практически можно принимать активным, равным некоторому постоянному среднему значению. Ввиду такого характера нагрузки отдаваемая вторичной обмоткой импульсного трансформатора мощность обычно измеряется в ваттах или киловаттах. [27]
 |
Блок-схема МСХ-ЗА. [28] |
Можно предполагать, что во время действия импульса напряжения электронный луч отклоняется электрическим полем Ев к задней пластине. Поэтому число ионов, возникающих в течение времени действия импульса, мало по сравнению с количеством ионов, образовавшихся за время между двумя последующими импульсами. Так как основная масса ионов выталкивается одновременно, то ионы, возникающие в разное время в процессе действия импульса напряжения, могут лишь создать слабый фон, не ухудшающий разрешающей способности масс-спектрометра. При работе этого прибора используется только электрическое поле. Поэтому все элементы его конструкции изготовляют только из немагнитных материалов, чтобы не вносить искажений. [29]
Транзисторы Т1 - Т4 во время действия восстанавливающего импульса Е образуют триггер. Адресные транзисторы Т5 - Т8 позволяют записывать и считывать информацию. Оптимизируемым параметром может быть выбрана потребляемая мощность, независимыми переменными - геометрические размеры ( длина L и ширина W) каналов транзисторов 77 - Т8, а также концентрация примеси в подложке N. С точки зрения занимаемой площади длины каналов LI, Lz, L8, Le, L7, L8 ( L 15 мкм) и ширины каналов W3, W4 ( W 8 мкм) выбираются минимальными. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5