Большее время - жизнь
Cтраница 4
 |
Распределение числа атомов по уровням в трехуровневой системе. я - в равновесном состоянии при Г300 К, б - при температуре 7300 К и в состоянии инверсии населенностей. [46] |
Следует отметить, что в некоторых случаях для генерации оптического излучения не обязательно иметь уровень с абсолютно большим временем жизни. Важно, чтобы время жизни на нижнем возбужденном уровне было значительно меньше, чем на верхнем. [47]
Атом активатора в кристаллической решетке основы должен иметь метастабильный уровень 2 ( см. рис. 24.2) с большим временем жизни и узкой линией излучения, а также широкую полосу или большое число линий поглощения уровня 3 с частотой, несколько большей частоты излучения. Наконец, атом активатора не должен иметь никаких линий поглощения в пределах спектра лампы накачки, кроме необходимых для возбуждения. Этим требованиям в значительной мере удовлетворяют некоторые переходные металлы, редкоземельные металлы и актиноиды. Малая ширина их спектральных линий объясняется тем, что у них существуют электронные переходы между незаполненными внутренними электронными оболочками 3d, 4 /, 5 /, заэкранированными от внешних воздействий. [48]
Таким образом, когда молекула N20 термически активирована до энергии, превышающей низший диссоциационный предел, она имеет гораздо большее время жизни, чем ожидается на основании случая II предиссоциации. Из-за большого времени жизни экспоненциальный распад наблюдается при гораздо более низких давлениях, чем в других случаях. Сходная ситуация: возникла бы в молекуле С02, но ее термический распад требует гораздо более высоких температур и еще не изучался. [49]
Необходимо учитывать, что по мере приближения к нулевой частоте все меньшей и меньшей концентрации центров, обладающих большим временем жизни, оказывается достаточно для того, чтобы 1 / / - шум превышал обычный дробовой шум. [50]
Пайсом, показал, что должна существовать также другая разновидность нейтральных каонов, распадающаяся на три пиона и имеющая большее время жизни. [51]
Таким образом, при неизменном темпе генерации удельная фотопроводимость больше в тех полупроводниках, у которых свободные носители имеют большее время жизни и большую подвижность. Величина G определяется процессами взаимодействия света с полупроводником. Интенсивность монохроматического света / на глубине х связана с интенсивностью / о У поверхности полупроводника соотношением / / 0ехр ( - ах), где а - линейный коэффициент поглощения света. [52]
Страницы: 1 2 3 4