Конечное время

Cтраница 1

Усилитель мощности с фазовым управлением. [1]

Конечное время t0 ограничивает также частоту работы ШИМ: при повышении частоты возрастает мощность, выделяющаяся в транзисторе. [2]

Конечное время, необходимое для фазового перехода, и образующаяся многоволновая структура ударной волны также приводят к тому, что волна, на которой заканчивается переход Fe ( a) - Бе ( е, начинает затухать раньше, чем это следует из простейших соображений, связанных с анализом только ударной адиабаты. В частности, сдвиговая прочность, определяемая девиа-тором т1, приводит к более раннему началу ослабления ударной волны, чем это следует из чисто гидродинамической модели, так как упругая волна разгрузки имеет большую скорость, чем пластическая волна разгрузки. [3]

Конечное время, необходимое для фазового перехода, и образующаяся многоволновая структура ударной волны также приводят к тому, что волна, на которой заканчивается переход Fe0 - - Бе ( Е), начинает затухать раньше, чем это следует из простейших соображений, связанных с анализом только ударной адиабаты. В частности, сдвиговая прочность, определяемая девиа-тором т1, приводит к более раннему началу ослабления ударной волны, чем это следует из чисто гидродинамической модели, так как упругая волна разгрузки имеет большую скорость, чем пластическая волна разгрузки. [4]

Конечное время выхода на установившийся режим течения может быть обусловлено инерцией деталей, связанных с приводимой во вращение измерительной поверхностью и с недостаточной жесткостью динамометрического устройства. [5]

Конечное время пролета через область коллекторного перехода вносит незначительный вклад в общее время пролета исследуемых транзисторов. [6]

Принципиальные схемы многоступешшх усилителей на транзисторах. a - широкополосного с индуктивной коррекцией и отрицат. обратной связью. б - полосового с трансформаторной связью. в - мощного двухтактного класса Б с тр-рами и транзисторами одного типа. г - двухтактного класса В без тр-ра с транзисторами разных типов. д - балансного постоянного тока. [7]

Конечное время движения носителей в базе обусловливает значительное запаздывание сигнала при передаче его через У. [8]

Напряженное и деформационное состояния материала призматического образца при мгновенном изменении деформации в момент нагружсния ( а, после прохождения волн разгрузки от прилегающих боковых поверхностей образца ( б и после взаимодействия волн разгрузки в центре образца ( в. [9]

Конечное время нарастания нагрузки, сравнимое с периодом радиальных колебаний, можно представить как серию мгновенных скачков деформации. Распределение по времени скачка деформации приводит к понижению амплитуды осцилляции по сравнению с их величиной при мгновенном изменении деформации. [10]

Индуктивная нагрузка транзистора MOSFET. [11]

Конечное время открытия транзистора и определяет потерн на нем. [12]

Фазовые хар-ки од-ноступенных реостатных усилителей. 1 - на лампах. s - на транзисторах.| Принципиальные схемы многоступенных усилителей на транзисторах. а - широкополосного с индуктивной коррекцией и отрицат. обратной связью. б - полосового с трансформаторной связью. в - мощного двухтактного класса Б с тр-рами и транзисторами одного типа. г - двухтактного класса В без тр-ра с транзисторами разных типов. д - балансного постоянного тока. [13]

Конечное время движения носителей в базе обусловливает значительное запаздывание сигнала при передаче его через У. [14]

Конечное время протекания процессов преобразования потока излучения приемниками вызывает необходимость учета их динамических ( инерционных) свойств. [15]

Страницы: 1 2 3 4