Малое время - переключение
Cтраница 2
Применение фототранзисторов и улучшение параметров этих приборов затрудняет, в частности, следующее обстоятельство: высокий коэффициент передачи и малое время переключения требуют уменьшения толщины базовой области, что обычно приводит к снижению фоточувствительности прибора. [16]
Пара транзисторов металл - окисел - полупроводник с каналами разного типа, для которой характерны низкая потребляемая мощность и малое время переключения. [17]
Особой разновидностью полупроводниковых диодов являются высокочастотные и импульсные диоды, при создании которых достигнуты малые значения внутренних емкостей и малое время переключения из проводящего состояния в непроводящее и обратно. [18]
 |
Схема ЗУ из четырех фер. [19] |
В настоящее время созданы термостабильные ферриты с высокой прямоугольностью петли гистерезиса Вг / Вт 0.95, большой индукцией насыщения Bmzn2QQQ гс, малым коэрцитивным полем Нс 1э, малым временем переключения 0.5 мксек. В качестве материала для ферритовых сердечников используются главным образом магний-марганцевые ферриты, хотя перспективны для использования и некоторые другие ферриты, например на основе лития. [20]
Туннельные диоды отличаются малым временем переключения, наличием участка отрицательного сопротивления, крайне низким уровнем шумов и очень слабой температурной зависимостью параметров, в силу которой они могут успешно работать при повышенных температурах. [21]
Эта мера, во-первых, приводит к значительному ослаблению сигнала, проходящего по емкости перехода, и, во-вторых, несколько затягивает импульсы совпадений, что часто также выгодно, так как позволяет использовать на выходе триггерные каскады с умеренным быстродействием. Разрешающее время такой схемы при использовании диодов с малым временем переключения ( типа Д10) может быть доведено до 10 - 9 сек, если входные сигналы соответствующим образом сформированы по длительности. [22]
Области применения тиристоров весьма обширны: динисторы Т и ТС обычно используют в режиме мощного переключения, например в силовых преобразователях энергии в цепях постоянного и переменного тока, а динисторы КН и 2Н и тринисторы 2У, КУ, Д - в устройствах промышленной электроники и радиоэлектроники. Тринисторы ТЧ, обладающие высоким коэффициентом усиления и малым временем переключения, используют также в различных преобразователях, работающих на частотах до 10 кГц, в качестве ключевых элементов в схемах автоматики и промышленной электроники и системах регулируемого привода. Тринисторы ТИ находят применение в преобразователях электроэнергии, работающих в импульсном режиме в диапазоне температур от - 55 до 110 С. [23]
 |
Схема АЗУ. [24] |
Принцип работы АЗУ состоит в фиксации мгновенных значений сигнала на время преобразования его в АЦП. Особенность этого ключа - наличие большого коммутируемого тока ( 20 мА) и малое время переключения ( 150 нс), а также малые токи утечки и заряд переключения, которые позволяют реализовать на его основе АЗУ с высокими параметрами. [25]
Устройства вместе с резервными устройствами функционируют непрерывно, контроль работоспособности устройств предполагается полным. Полагают при этом, что переключающее устройство в группе характеризуется высокой надежностью и малым временем переключения. [26]
На рис. 2 6 - ж показаны типовые схемы управления кремниевыми вентилями. В большинстве инверторов используются способы управления г, д, е или ж для получения малого времени переключения, необходимого в высокочастотных инверторах параллельного или последовательного инвертирования. Вентиль может быть заперт снижением его анодного тока до величины, меньшей его гока выключения, но управляющий электрод восстановит управляющую способность в более короткое время, если на вентиль подано обратное смещение от внешнего источника с низким выходным сопротивлением, обеспечивающее протекание через вентиль обратного тока в несколько ампер. [27]
Если ошибка за счет утечки в переключателе не должна превышать 0 1 %, то развязка должна быть не ниже 63 дб. В переключателе применены точечные германиевые диоды 1N270, обладающие малым прямым сопротивлением, высоким обратным сопротивлением и достаточно малым временем переключения ( около 20 нсек), что позволяет получить прямоугольную вырезку, если ее длительность не меньше 100 нсек. [29]
Этот тип транзистора представляет собой герметически запаянный поверхностно-барьерный транзистор, предназначенный для работы в схемах вычислительных машин. Прибор обладает управляемыми характеристиками насыщения и низким сопротивлением насыщения. Малое время переключения позволяет применять его в переключающих схемах при частоте импульсов, превышающей 20 Мгц. Характеристики переключения такого транзистора контролируются известными величинами ( 3 на высокой частоте и временем накопления дырок. Гибкие выводы могут быть непосредственно сварены или впаяны в схему, обеспечивая надежность соединения. [30]
Страницы: 1 2 3