Cтраница 4
В неэпитак-сиальном транзисторе с диффузионной базой диффузионная длина для неосновных носителей в области коллектора довольно велика. Функция, обозначенная на рис. 4.3 а через пк ( х), показывает, что в добавление к заряду, накопленному в области базы, существенная доля заряда накапливается и в теле коллектора. Это - очень сложная в действительности задача. Если использовать формулы Эберса я Молла [ (10.93) - (10.95) ], то рассчитанные времена накопления оказываются намного короче, чем те, которые наблюдаются экспериментально. С точки зрения проведенного выше рассуждения этот результат не является сюрпризом. [46]