Cтраница 2
Последовательно изменяя код управляющего сигнала, можно изменять, с увеличением на один дискрет Лтя Т0, результирующее время задержки импульса на выходе устройства. [16]
Из вышесказанного следует, что в воздушном выключателе всегда осуществимо срабатывание отдельных его элементов в определенной последовательности, однако выполнять это следует так, чтобы результирующее время срабатывания не превышало заданного нормированного значения для аппарата. Последнее у воздушного выключателя задается довольно жестко, и потому чисто пневматическое управление применяется обычно лишь на аппаратах, предназначенных для работы в сетях не слишком высокого класса напряжения, либо на выключателях, от которых не требуется особого быстродействия при оперировании. Применение в воздушных выключателях соединительных каналов большой протяженности приводит к недопустимо большой потере времени на передачу по ним управляющего командного импульса на своевременное срабатывание дугогасительных органов. Вследствие этого при создании быстродействующих воздушных выключателей, в особенности на высокие классы напряжения, от чисто пневматических систем управления приходится отказываться. Отдельные пневматические органы управления компонуются в функциональные блоки управления, располагающиеся в непосредственной близости к исполнительным механизмам выключателя, а передача командных сигналов на большие расстояния между этими блоками осуществляется посредством механических или гидравлических систем управления. Однако это не вносит принципиального отличия в конструктивное исполнение самих клапанов управления. Единственным различием является применение вместо управляющих поршневых механизмов приводных устройств, работающих непосредственно от механических или гидравлических органов управления. [17]
В случае дренирования серии блоков с идентичными физическими свойствами через контакты различной протяженности ( см. рис. 10.14) нефть будет вытесняться из всех блоков. Результирующее время вытеснения равно значению времени дренирования единичного блока, умноженному на число блоков. [18]
Первое слагаемое в правой части уравнения ( 1 - 25) представляет собой скорость рекомбинации и зависит от мгновенного значения избыточной концентрации носителей заряда, а второе - скорость генерации носителей заряда того же знака, которая зависит от равновесной концентрации носителей заряда и является постоянной величиной. Величина т является результирующим временем жизни избыточных носителей, одинаковым для электронов и дырок и близким к времени жизни неосновных носителей. С постоянной времени, примерно равной времени жизни неосновных носителей, происходит и спад избыточных концентраций. [19]
Кь которая возникает, когда какой-либо из соседних ионов Fe обменивается местами с вакансией. Можно ожидать, что результирующее время релаксации будет относительно малым. [20]
В общем случае любой начальный профиль благодаря диффузии быстро принимает форму, которая не меняется с понижением высоты, но наклон и амплитуда профиля уменьшаются. Промежуточные турбулентные слои не оказывают существенного влияния на результирующее время переноса, хотя вход в турбулентный слой сопровождается интенсивным переносом частиц вниз. [21]
Составляющая t, определяемая временем гашения дуги в предохранителе, не поддается расчету. Она учитывается введением эмпирических коэффициентов в формулы для результирующего времени срабатывания предохранителя. [22]
Прежде чем обсуждать полученный на 2-миллиметровом спектрометре спектр спин-меченого БСА в рамках модели МИОГД спиновой метки, следует еще раз обратить внимание на следующее важное обстоятельство. Хотя в рамках модели МИОГД и вводятся два времени вращательной корреляции спиновой метки и глобулы, но в силу того, что эти времена считаются изотропными, результирующее время вращательной подвижности N-О фрагмента также считается изотропным. [23]
Более сильным механизмом релаксации, который в отличие от механизма Валлера не зависит от концентрации магнитных ионов, является модуляция поля лигандов колебаниями решетки. Колебания решетки создают флуктуирующее электрическое поле, которое модулирует орбитальное движение магнитных электронов. Не существует прямого взаимодействия флуктуирующего электрического поля с электронными спинами, но они ощущают влияние модуляции орбитального движения через спин-орбитальную связь точно таким же образом, как влияние статического поля лигандов. Результирующие времена спин-решеточной релаксации поэтому сильно зависят от величины орбитального момента свободного иона или от степени его замораживания статическим полем лигандов. В грубом приближении следует ожидать большие времена спин-решеточной релаксации, когда значение - фактора близко к значению 2 0023 для свободного спина, и малые времена релаксации, когда значение g заметно отличается от этой величины. Объектами первого типа являются, например, изолированные спины, связанные с дефектами, а также ионы переходных групп, которые имеют наполовину заполненную электронную оболочку и основным состоянием которых является S-состояние. С другой стороны, малые времена релаксации обнаруживаются для ионов 4 / -, 5 / - групп ( за исключением ионов, имеющих наполовину заполненную оболочку f - 7) и для тех ионов d - групп, основное состояние которых остается орбитально вырожденным ( фиг. Многие детали теории будут рассмотрены ниже. [24]
Из выражения ( 4 - 89) следует, что при т) 1 время дрейфа меньше времени диффузии. Однако выполнять это неравенство довольно трудно. Для сохранения высоких значений коэффициента инжекции ( например, не менее 0 99) необходимо выполнить условие Нл ( 0) С 0 01 N - л.ъ. Концентрация акцепторов в области эмиттера N я. Тогда из равенства ( 4 - 86) следует, что величину 2т ] трудно обеспечить более 6 - 7 для германия и 10 - И для кремния. Коэффициент поля реальных транзисторов не превышает 1 5 - 4 0, поэтому процесс диффузии носителей заряда в них играет заметную роль. При оценке высокочастотных свойств дрейфовых транзисторов следует пользоваться результирующим временем пролета носителей через базу, определяемым суммарной скоростью их и диффузионного и дрейфового движений. Меньшая толщина базы дрейфового транзистора обеспечивает дополнительное увеличение диапазона рабочих частот. [25]