Большое время - релаксация
Cтраница 1
Большое время релаксации наблюдается для непротонироваи-ного атома углерода С-2. ЯЭО показывает, что атом С-2 релаксирует преимущественно за счет ДД-релаксации ( 13С - Н) при наличии также существенных вкладов других механизмов. [1]
 |
При медленном охлаждении удельный. [2] |
Большое время релаксации вблизи температуры Tg объясняет причину растрескивания стекла при резком охлаждении или при нагревании. При резком охлаждении жидкого стекла поверхностные части охлаждаются значительно быстрее, чем внутренние. Поэтому на его поверхности образуется корка. При дальнейшем охлаждении внутренние части стекла затвердевают и сжимаются. Но этому мешает поверхностная корка. Поэтому возникают напряжения растяжения. Такое стекло при царапании растрескивается. [3]
Большое время релаксации, наблюдаемое при электронной поляризации, обусловленной тепловым движением, говорит о том, что эффективная масса электронов и дырок оказывается чрезвычайно большой. Обычно большое значение эффективной массы электрона свидетельствует о том, что он находится в поляро-ном состоянии. Как правило, это состояние электронов и дырок появляется в диэлектриках с высокой инфракрасной поляризуемостью, в которых разность еи - ЕОПТ оказывается значительной. [4]
При большом времени релаксации 7 сигнал сохраняет заметную величину в течение нескольких секунд и может быть обнаружен. [5]
Для кристаллического состояния характерно также бесконечно большое время релаксации, тогда как для аморфного оно ограничивается определенными пределами. [6]
 |
Гипотетические фрагменты асфальтеновых молекул, содержащие свободные радикалы.| Магнитные характеристики смол и асфальтенов. [7] |
По данным ЭПР для всех асфальтенов наблюдается большое время спин-решетчатой релаксации, что подтверждает вывод о значительной делокализации неспаренного электрона, имеющего малую константу спин-орбитального взаимодействия. [8]
Отсюда следует, что при загрузке жидкостей, имеющих большое время релаксации ( десятки и сотни секунд) падающая без разбрызгивания струя мало увеличивает опасность. [9]
При понижении температуры полимера молекулы не успевают перегруппироваться до достижения равновесного объема из-за большого времени релаксации. Этому также препятствует ориентация полимера, связанная с его течением во время выдержки под давлением. [10]
В работе [138] определено, что для всех образцов асфаль - - тенов наблюдается большое время спин-решетчатой релаксации, что подтверждает вывод о значительной дслокализации неспаренного электрона по атомам углерода, имеющим малую константу спин-орбитального взаимодействия. [11]
Для того чтобы получить требуемую среднюю яркость, элемент индикатора должен обеспечивать очень высокую мгновенную яркость или иметь большое время релаксации. Средняя яркость современных матричных индикаторов невелика именно в силу незначительной максимальной яркости. [12]
Вещества, в которых магнитные ядра достаточно удалены друг от друга или имеют малые магнитные моменты, должны иметь большое время релаксации, так как Т сильно зависит от i и г. Иллюстрацией этого положения может быть резонанс на ядрах 13С ( при их естественном содержании - 1 %) в неопентане; в большинстве молекул центральный атом углерода будет связан с немагнитными ядрами 12С и в связи с этим будет экранирован от магнитных ядер - протонов, входящих в метальные группы. [13]
Конкретное значение 1а ( Силг / Смж) в этой области температур зависит от скорости изменения температуры и предыстории образца, что указывает на большое время релаксации системы. Это видно из рис. 5, где кривая 1 соответствует повышению температуры исходного неотожженного образца. Положение точки перегиба также зависит от скорости изменения температуры. [14]
 |
Виды поверхностных слоев в полупроводниках п - и р-типов.| Энергетическая диаграмма ( о и распределение зарядов ( б н поверхностном слое полупроводника при наличии поверхностных состояний. [15] |
Страницы: 1 2 3