Минимальное время - переключение
Cтраница 1
 |
Пленарный тиристор с продольно. структурой ( размеры указаны в мкм.| Конструкция тиристора типа КУ201.| Зависимость среднего значения прямого тока от температуры корпуса при разных углах горения. [1] |
Минимальное время переключения ( твкл Твыкл) структуры достигает 300 не. [2]
Широко известные элементы ЭСЛ обладают минимальным временем переключения тэ 0 2 ч - 1 0 не, однако имеют неприемлемо высокую рассеиваемую мощность для БИС, большую площадь ( 5 10 -: - 20 тыс. мкм2), узкий температурный диапазон работоспособности. [3]
Практически величину емкости форсирующего конденсатора проще определить экспериментально, добиваясь минимального времени переключения. [4]
В ходе игры студенты должны разработать схему ключа на биполярном транзисторе с минимальным временем переключения. Вместе с этим заданием даются способы достижения цели. Макет лабораторной установки представляет собой схему простого ключа на биполярном транзисторе, элементы которой можно изменять в некоторых пределах, и набор корректирующих цепочек, которые можно подключать к исходной схеме в разных сочетаниях и в разной последовательности. [5]
Таким образом, исходными данными для расчета элементов триггера являются: амплитуда выходного напряжения, напряжение питания, минимальное время переключения, максимальная частота и максимальная нагрузка. [6]
Для переключательных диодов важно получить максимальное отношение / п / / в, которое характеризует различимость двух логических уровней сигнала при работе схемы в режиме переключения токов, а также минимальное время переключения taev при работе схемы в режиме переключения напряжений. Эти соотношения справедливы, если емкость корпуса диода Свора и его индуктивность настолько малы, что их влиянием на / пер можно пренебречь. Параметры Ua, Ue и Up также являются опорными при работе переключательного диода в схеме с режимом переключения напряжений. [7]
Сверхвысокочастотные ( СВЧ) диоды предназначены для работы в диапазоне частот свыше 300 МГц. На таких частотах могут работать диоды, имеющие минимальное время переключения и малую емкость. [8]
Основное внимание при выборе транзисторов уделяется вопросу - соответствует ли время переключения транзистора заданному быстродействию декады. Задача может рассматриваться и по-другому: установив значение минимального времени переключения, выбирают схемы триггеров и декад, позволяющие реализовать быстродействие транзисторов. Следовательно, в любом случае приходится определять время переключения транзистора. [9]
Это уравнение демонстрирует полезность данного устройства. Время релаксации TQ характеризует промежуток времени, необходимый для нагревания бистабильного устройства, и представляет собой максимальное время, через которое с устройством можно начать работать. С другой стороны, т является минимальным временем переключения. Таким образом, ch ( A / fcT) представляет максимальное число переключений за время жизни информации. Оно может быть большим, следовательно, устройство может быть полезным. [10]
Толщина отложений максимальна в том сечении теплообменника, где начинается вымерзание примесей. Эта толщина увеличивается с ростом концентрации примесей и пропорциональна времени переключения. Поэтому по мере роста концентрации примесей ( даже при практически минимальном времени переключения) толщина отложений может превысить допустимую величину. Для обычных чисел Рейнольдса ( 100) толщину отложений можно уменьшить за счет увеличения поперечного сечения теплообменника в месте вымерзания примесей до размеров, превышающих необходимые по условиям сопротивления. Однако местное увеличение поперечного сечения теплообменника связано с усложнением конструкции. В то же время описанные нами опыты показали, что необходимость в местном увеличении сечения при использовании прерывистых рифленых ребер отпадает. Концентрация СО2 в опытах доходила до 5 %, а время переключения равнялось 3 мин. [11]
Важным достоинством электрооптического дефлектора является высокое быстродействие: в устройстве с ЛГ1000 время переключения составляет около 0 1 икс. При увеличении N и соответственно числа каскадов дефлектора быстродействие ухудшается. Оптимальной является такая конструкция дефлектора, в которой при заданном N обеспечиваются минимальная мощность управления Яупр и минимальное время переключения tnef. Оптимизация достигается фокусировкой лазерного луча, проходящего через дефлектор, и уменьшением паразитной емкости электрооптических кристаллов. [12]
Страницы: 1