Оптимальное время - экспонирование
Cтраница 1
 |
Изменения ширины ли-иий в зависимости от времени экспонирования фоторезиста SCR-5. А - область допустимых отклонений. [1] |
Оптимальное время экспонирования достигается при наименьших отклонениях размеров линий и промежутков. [2]
 |
Характеристические кривые ( а и отклонения Р ( б для фоторезиста ФП-383 при фотопечати с цветного ( / и хромированного фотошаблона ( 2. [3] |
В связи с меньшим коэффициентом отражения поверхности цветных фотошаблонов диапазон оптимального времени экспонирования увеличивается почти вдвое. [4]
Очевидно, что этот контраст будет отсутствовать как при очень коротких, так и при очень длительных экспозициях; таким образом, для данного интервала яркостей изображения имеется некоторое оптимальное время экспонирования. [5]
Область светочувствительности лежит между 200 и 600 ммкм, но сколь скоро большинство стекол пропускает лучи с минимальной длиной волны 320 ммкм максимум сенсибилизационной кривой в фильтрованном стеклом свете соответствует длине волны 340 ммкм. Время экспонирования зависит как от толщины слоя, так и от мощности источника света, и поэтому для установления оптимального времени экспонирования необходимо проведение проб. Экспонированные участки резиста подлежат вымыванию с заготовки, неэкспонированные остаются на фольге. [6]
 |
Сенситометрическая кривая фотоэмульсий. [7] |
Этот параметр особенно важен при выявлении взаимосвязи фотографических характеристик фоторезиста с воспроизведением элементов схем. При определении отклонения геометрических размеров 5 во всем интервале экспозиций было установлено ( рис. 5 - 12), что диапазон оптимального времени экспонирования, в котором наблюдается минимальное искажение геометрических размеров элементов, совпадает с фотографической широтой. [8]
Метод измерения ширины линий наиболее надежен по сравнению с другими. Он заключается в определении точности воспроизведения маски и визуальной оценки изображения. Обычное измерение ширины линий состоит из серии 6 экспозиций и сравнения изображения на фоторезисте с изображением на маске. Если с помощью визуальной оценки поверхности слоя резиста достигнуто оптимальное время экспонирования, для дальнейшего его уточнения сравнивают ширину линий рельефа и шаблона. Допустимые погрешности ухода ширины линий зависят от размеров изображаемых структур и составляют для макролитографии ( полиграфии) 3 мкм, а для микроэлектроники примерно 0 1 мкм. Модификация этого приема состоит в экспонировании через клин оптических плотностей и измерении ширины линий для разных клиньев. [9]
Из-за повышенной вязкости KMER обеспечивает более низкую разрешающую способность, чем KPR. Вязкость при 20 С находится в пределах от 396 до 504 спз. KMER тиксотропен, и перед измерением вязкости его надо сильно взболтать. Время экспонирования для KMER обычно больше, чем для KPR. Для определения оптимального времени экспонирования необходимы пробы. Все процессы для KMER аналогичны процессам для KPR, кроме проявления, которое проводят следующим образом: окунают, не помешивая, на 2 мин в стоддардовский растворитель), затем немедленно промывают в течение 15 сек струей ксилола) и в течение 15 сек струей смеси ( 1: 1 по объему) этилового спирта и стоддардовского растворителя ( или лигроина)), затем сушат. [10]
Важнейшее свойство резистного слоя - светочувствительность. Грубо она определяется как минимальное время, необ ходимое для достижения оптимального эффекта экспонирования. Для повыше ния светочувствительности используют разнообразные приемы. США 3661982 описывается использование 0 5 % азотсодержащих гетеро-циклов ( индола, хиназолина, тетразола и др.) в качестве повышающих светочувствительность добавок к нафтохинондиазидному фоторезисту. Однако ю использование резко сужает допустимые пределы варьирования режимов обработок. Аналогичные недостатки, как известно, имеет и уменьшение содержания диазида в слое. Предложено вводить в композицию на основе нафтохинонди-азидного производного и крезольного новолака 4 - 8 % ангидрида циклической дикарбоновой кислоты-тетрагидрофталевой, малеиновой и др. [ пат. ФРГ 2657922; США 4115128 ]; при этом оптимальное время экспонирования сокра щается более чем в 3 раза. Однако и в этом случае снижается стойкость И обработкам, в частности к режиму проявления. [11]
Грубо она определяется как минимальное время, необходимое для достижения оптимального эффекта экспонирования. Для повышения светочувствительности используют разнообразные приемы. США 3661982 описывается использование 0 5 % азотсодержащих гетеро-циклов ( индола, хиназолина, тетразола и др.) в качестве повышающих светочувствительность добавок к нафтохинондиазидпому фоторезисту. Однако их использование резко сужает допустимые пределы варьирования режимов обработок. Аналогичные недостатки, как известно, имеет и уменьшение содержания диазида в слое. Для повышения светочувствительности в композиции рекомендуется вводить моно - и дикарбоновые кислоты, в том числе пикриновую, никотиновую, нитрокоричную, в количестве до 5 % от массы полимера [ пат. Предложено вводить в композицию па основе нафтохинонди-азидного производного и крезольного новолака 4 - 8 % ангидрида циклической дикарбоисвой кислоты - тетрагидрофталевой, малеиновой и др. [ пат. ФРГ 2657922; США 4115128 ]; при этом оптимальное время экспонирования сокращается более чем в 3 раза. Однако и в этом случае снижается стойкость К обработкам, в частности к режиму проявления. [12]
Страницы: 1