Cтраница 1
![]() |
Схема типа ТТЛ с простым инвертором.| Схема типа ТТЛ со сложным инвертором и логическим расширителем. [1] |
Среднее время задержки сигнала лежит в пределах 10 - 30 нс. [2]
Среднее время задержки сигнала в таких элементах составляет единицы наносекунд. Высокое быстродействие элемента объясняется рядом причин. Первая из них - работа транзисторов переключателя тока в активном ( ненасыщенном) режиме, за счет чего исключается явление рассасывания и вызываемые им задержки срабатывания каскадов; вторая - малое выходное сопротивление выходных эмиттерных, повторителей, что обеспечивает быстрый перезаряд паразитных нагрузочных емкостей; третья - малые изменения входного сигнала при переключении. [3]
Среднее время задержки сигнала 4ср является наиболее распространенным параметром, характеризующим быстродействие интегральных логических ( микросхем. Оно определяет среднее время прохождения сигнала через одну микросхему IB устройстве. [4]
Так как длительности переходных процессов при выключении и включении транзистора в общем случае не равны, целесообразно говорить о среднем времени задержки сигнала на ячейку. [5]
Основным параметром, определяющим качество технологии изготовления ИС, является величина работы переключения стандартного ЛЭ ( вентиля) - произведение среднего времени задержки сигналов в вентиле tpd на мощность Р ( Power) потребления вентиля. [6]
К наиболее медленным относятся схемы на МОП-структурах с р-канальными транзисторами. Среднее время задержки сигнала для таких схем составляет 100 - 1000 не. При использовании n - канальных транзисторов быстродействие МОП-структур уменьшается до 30 - 300 не. [7]
Логические элементы на переключателях тока являются в настоящее время самыми быстродействующими логическими элементами на биполярных транзисторах. Среднее время задержки сигнала в таких элементах составляет единицы наносекунд. Высокое быстродействие элемента объясняется рядом причин. Первая из них - работа транзисторов переключателя тока в активном ( ненасыщенном) режиме, за счет чего исключается явление рассасывания и вызываемые им задержки срабатывания каскадов; вторая - малое выходное сопротивление выходных эмиттерных повторителей, что обеспечивает быстрый перезаряд паразитных нагрузочных емкостей; третья - малые изменения входного сигнала при переключении. Обычно уровень входного сигнала, соответствующий логическому О, близок к - 1 2 В, уровень входного сигнала, соответствующий логической 1, - к - 0 6 В. Изменение входного сигнала при переключении составляет примерно 0 6 В. Соответственно мал диапазон изменения напряжения и на входных паразитных емкостях. Заряд паразитных емкостей при работе элемента изменяется незначительно, что также положительно сказывается на быстродействии схемы. [8]
Они имеют примерно в 3 раза меньшее среднее время задержки сигналов. [9]
Нагрузочная способность п ( коэффициент разветвления на выходе) характеризует максимальное число ЛЭ, аналогичных рассматриваемому, которые одновременно можно подключать к его выходу. Чем выше нагрузочная способность, тем меньшее число ЛЭ необходимо для построения сложной цифровой микросхемы. Среднее время задержки сигнала возрастает вследствие увеличения емкости нагрузки. [10]
Нагрузочная способность характеризует максимальное число микросхем, аналогичных рассматриваемой, которые можно одновременно подключить к ее выходу без искажения передачи информации. Чем выше коэффициент п, тем шире логические возможности микросхемы и тем меньшее число микросхем необходимо для построения сложного вычислительного устройства. Однако увеличение коэффициента п ограничено, поскольку с ростом числа нагрузок ухудшаются другие основные параметры микросхем, главным образом статическая помехоустойчивость и среднее время задержки сигнала. [11]
Нагрузочная способность характеризует максимальное число микросхем, аналогичных рассматриваемой, которые можно одновременно подключать к ее выходу без искажения передачи информации. Чем выше коэффициент п, тем шире логические возможности микросхемы и тем меньшее число микросхем необходимо для построения сложного вычислительного устройства. Однако увеличение коэффициента п ограничено, поскольку с ростом числа нагрузок ухудшаются другие основные параметры микросхем, главным образом статическая помехоустойчивость и среднее время задержки сигнала. [12]