Cтраница 4
![]() |
Устройство для исследований в потоке метастабильных атомов аргона ( верхний рисунок. На нижнем рисунке показано устройство для изучения молекул ( Л3 - образующихся в реакции Аг N2. [46] |
Для N2 и СО, которые имеют большую энергию диссоциации, соударение с Аг не вызывает диссоциацию, а переданная энергия идет на электронное возбуждение этих молекул. Стационарное распределение энергии молекул N2 [137] и СО, возбужденных при соударении с Аг, подробно исследовано. Как и ожидалось, для большинства полностью разрешенных переходов при давлении 0 5 мм рт. ст. в пределах радиационного времени жизни скорость вращательной ( или колебательной) релаксации незначительна. [47]
Такие лазерные системы, обладающие большим усилением и малой длительностью импульса генерации, уже осуществлены на парах РЬ, Си, Аи, Са, Sr и Мп, а также на благородных газах Не, Ne, Ar, Кг и Хе. Расположение энергетических уровней лазера на самоограниченном переходе показано на рис. 33.6. BepxHift лазерный уровень / возбуждается электронным ударом с основного состояния, а нижний лазерный уровень 2 - метастабилен ( или квазиметастаби. В такой трехуровневой системе при быстром воз буждении уровня / инверсняя населенность между уровнями / и 2 из-за быстрого нарастания населенности нижнего лазерного уровня возможна только на время, меньшее, чем радиационное время жизни верхнего лазерного уровня. [49]
Такие лазерные системы, обладающие большим усилением и малой длительностью импульса генерации, уже осуществлены на парах РЬ, Си, Аи, Са, Sr и Мп, а также на благородных газах Не, Ne, Ar, Кг и Хе. Расположение энергетических уровней лазера на самоограниченном переходе показано на рис. 33.6. Верхний лазерный уровень / возбуждается электронным ударом с основного состояния, а нижний лазерный уровень 2 - метастабилен ( или квазиметастаби. В такой трехуровневой системе при быстром воз буждении уровня / инверсная населенность между уровнями / и 2 из-за быстрого нарастания населенности нижнего лазерного уровня возможна только на время, меньшее, чем радиационное время жизни верхнего лазерного уровня. [51]
Радиационное время жизни по отношению к флуоресценции равно 10 - 7 ч - 10 - 9 с. Фосфоресценцией называется излучение, сопровождающее переходы между состояниями разной мультипольности. В силу спинового запрета радиационное время жизни фосфоресценции в миллионы раз превышает радиационное время жизни флуоресценции, если соответствующие им квантовые переходы отличаются только спиновыми состояниями. [52]
Радиационное время жизни по отношению к флуоресценции равно 10 - 7 ч - 10 - 9 с. Фосфоресценцией называется излучение, сопровождающее переходы между состояниями разной мультипольности. В силу спинового запрета радиационное время жизни фосфоресценции в миллионы раз превышает радиационное время жизни флуоресценции, если соответствующие им квантовые переходы отличаются только спиновыми состояниями. [53]
Диоксид серы также является одним из загрязнителей атмосферы. Известно, что флуоресценция S02 обусловлена двумя различными возбужденными электронными состояниями. Однако время жизни свечения из этого состояния достаточно большое ( - 1 мс), и оно легко тушится при атмосферном давлении в результате молекулярных соударений. Сила осциллятора перехода на второй электронный уровень ( 220 нм) гораздо больше, а его радиационное время жизни равно 20 не. [54]
Однако, есть существенное различие. В предыдущем разделе предполагалось, что в начальный момент времени атом находится в темном состоянии. В случае ЭМИП, однако, атом возбуждается в темное состояние совместным действием сильного поля накачки и слабого пробного поля. Существует два возможных механизма такой накачки. Первый является эквивалентом обычной оптической накачки в плененное состояние. В этом случае ЭМИП индуцируется в атоме в течение времени порядка радиационного времени жизни, поскольку в течение этого времени возбужденный атом переходит в несвязанное ( плененное) состояние. Этот случай соответствует ступенчатому включению связывающего ( между уровнями а и с) и пробного полей. [55]