Интенсивность - луч - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Любить водку, халяву, революции и быть мудаком - этого еще не достаточно, чтобы называться русским. Законы Мерфи (еще...)

Интенсивность - луч

Cтраница 2


16 Вид сбоку и. сверху фотоионизационного источника. / - ионная пушка. 2 - напуск газа. 3 - пластины для регулировки света. 4 - ионизационная камера. 5 - электроды для подавления фотоэлектронов. 6 - выходная щель монохроматора. 7-катод для получения ионов электронный. [16]

Естественно, что при использовании монохроматора интенсивность луча значительно снижается.  [17]

18 КЛ. Схема возникновения эллиптичности. [18]

Для измерения эллиптичности необходимо определять отношения интенсивности луча в двух перпендикулярных направлениях.  [19]

Подчеркнем, что эксперимент дает значение интенсивности луча, а интенсивность пропорциональна квадрату амплитуды. Таким образом, если известна структура, то амплитуда рассеянного луча и - его интенсивность вычисляются однозначно. Но, к сожалению, химика в большей степени интересует обратная задача - установление структуры по известным интенсивностям. Так как из опыта нельзя узнать, имеет амплитуда положительный или отрицательный знак, то эта задача непосредственно не решается. Можно сказать, что основная работа исследователя в области структурного анализа кристаллов заключается в применении разного рода приемов, с помощью которых удается определить знаки амплитуд.  [20]

21 Радиальное распределение температуры и выходящего из плазмы излучения в РЧ-разряде в UFe, возникающем при инжекции UFe в аргоновую плазму ( г - расстояние от центра разрядной камеры. 1 - распределение температуры, найденное из эмиссионного и абсорбционного спектров. 2 - распределение температуры, определенное из интенсивности линии аргона 415 8 нм. 3 - выходящее излучение. [21]

Коэффициент поглощения плазмы найден из затухания интенсивности просвечивающего луча лазера, пересекающего столб ( 1Т - Р - Аг) - плазмы. Излучение, пропускаемое исследуемым элементом плазмы, должно быть вычтено из входящего излучения с тем, чтобы правильно определить затухание. Для этого нужно, чтобы поток просвечивающего луча лазера был больше или равен эмитируемому световому потоку. Лазер, использованный в [5], отвечал этому условию. Известно, как с помощью метода итераций можно найти радиальное распределение коэффициента эмиссии, а затем радиальное распределение коэффициента поглощения. Локальное отношение коэффициентов поглощения и эмиссии дает функцию Планка при фиксированной длине волны и локальной температуре, поэтому радиальные профили этих коэффициентов можно найти, не зная значения плотности частиц и вероятности спектральных переходов. В работе [5] проведены измерения, результаты которых использованы для расчетов коэффициентов поглощения и эмиссии; получено удовлетворительное совпадение с результатами других измерений.  [22]

23 Радиальное распределение температуры и выходящего из плазмы излучения в РЧ-разряде в UFe, возникающем при инжекции UFe в аргоновую плазму ( г - расстояние от центра разрядной камеры. 1 - распределение температуры, найденное из эмиссионного и абсорбционного спектров. 2 - распределение температуры, определенное из интенсивности линии аргона 415 8 нм. 3 - выходящее излучение. [23]

Коэффициент поглощения плазмы найден из затухания интенсивности просвечивающего луча лазера, пересекающего столб ( и - Г - Аг) - плазмы. Излучение, пропускаемое исследуемым элементом плазмы, должно быть вычтено из входящего излучения с тем, чтобы правильно определить затухание. Для этого нужно, чтобы поток просвечивающего луча лазера был больше или равен эмитируемому световому потоку. Лазер, использованный в [5], отвечал этому условию. Известно, как с помощью метода итераций можно найти радиальное распределение коэффициента эмиссии, а затем радиальное распределение коэффициента поглощения. Локальное отношение коэффициентов поглощения и эмиссии дает функцию Планка при фиксированной длине волны и локальной температуре, поэтому радиальные профили этих коэффициентов можно найти, не зная значения плотности частиц и вероятности спектральных переходов. В работе [5] проведены измерения, результаты которых использованы для расчетов коэффициентов поглощения и эмиссии; получено удовлетворительное совпадение с результатами других измерений.  [24]

Коэффициент пропорциональности kK, определяющий относительное изменение интенсивности луча в поглощающем слое единичной толщины, называется коэффициентом ослабления луча. Этот коэффициент определяет интенсивность ослабления лучей в поглощающей среде и таким образом характеризует полную поглощательную способность среды, определяемую как собственно поглощением, так и рассеянием.  [25]

Имеется ряд и достаточно эффективных способов изменения интенсивности луча лазера. Необходимость воспроизведения широкой полосы частот с целью получения высокой разрешающей способности диктует применение электрооптических или сходных быстродействующих устройств. Здесь будут рассмотрены электрооптические модуляторы двух видов: в одних используется линейный, а в других - квадратичный электрооптический эффект. Тип используемого электрооптического эффекта определяется классом симметрии электрооптического кристалла.  [26]

Панель управления лучом с соответствующими элементами управляет интенсивностью луча и фокусировкой.  [27]

Обычно поглощение характеризуют полутолщиной х, при которой интенсивность луча уменьшается вдвое.  [28]

Для получения равномерной яркости при генерировании штрихов различной длины интенсивность луча при вычерчивании более длинных штрихов увеличивается.  [29]

Коэффициент пропорциональности ( k), определяющий относительное изменение интенсивности луча в поглощающем слое единичной толщины, называют коэффициентом ослабления луча. Он определяет интенсивность ослабления лучей в поглощающей среде и, следовательно, характеризует полную по-глощательную способность среды, определяемую как поглощением, так и рассеянием.  [30]



Страницы:      1    2    3    4    5