Cтраница 2
Естественно, что при использовании монохроматора интенсивность луча значительно снижается. [17]
![]() |
КЛ. Схема возникновения эллиптичности. [18] |
Для измерения эллиптичности необходимо определять отношения интенсивности луча в двух перпендикулярных направлениях. [19]
Подчеркнем, что эксперимент дает значение интенсивности луча, а интенсивность пропорциональна квадрату амплитуды. Таким образом, если известна структура, то амплитуда рассеянного луча и - его интенсивность вычисляются однозначно. Но, к сожалению, химика в большей степени интересует обратная задача - установление структуры по известным интенсивностям. Так как из опыта нельзя узнать, имеет амплитуда положительный или отрицательный знак, то эта задача непосредственно не решается. Можно сказать, что основная работа исследователя в области структурного анализа кристаллов заключается в применении разного рода приемов, с помощью которых удается определить знаки амплитуд. [20]
Коэффициент поглощения плазмы найден из затухания интенсивности просвечивающего луча лазера, пересекающего столб ( 1Т - Р - Аг) - плазмы. Излучение, пропускаемое исследуемым элементом плазмы, должно быть вычтено из входящего излучения с тем, чтобы правильно определить затухание. Для этого нужно, чтобы поток просвечивающего луча лазера был больше или равен эмитируемому световому потоку. Лазер, использованный в [5], отвечал этому условию. Известно, как с помощью метода итераций можно найти радиальное распределение коэффициента эмиссии, а затем радиальное распределение коэффициента поглощения. Локальное отношение коэффициентов поглощения и эмиссии дает функцию Планка при фиксированной длине волны и локальной температуре, поэтому радиальные профили этих коэффициентов можно найти, не зная значения плотности частиц и вероятности спектральных переходов. В работе [5] проведены измерения, результаты которых использованы для расчетов коэффициентов поглощения и эмиссии; получено удовлетворительное совпадение с результатами других измерений. [22]
Коэффициент поглощения плазмы найден из затухания интенсивности просвечивающего луча лазера, пересекающего столб ( и - Г - Аг) - плазмы. Излучение, пропускаемое исследуемым элементом плазмы, должно быть вычтено из входящего излучения с тем, чтобы правильно определить затухание. Для этого нужно, чтобы поток просвечивающего луча лазера был больше или равен эмитируемому световому потоку. Лазер, использованный в [5], отвечал этому условию. Известно, как с помощью метода итераций можно найти радиальное распределение коэффициента эмиссии, а затем радиальное распределение коэффициента поглощения. Локальное отношение коэффициентов поглощения и эмиссии дает функцию Планка при фиксированной длине волны и локальной температуре, поэтому радиальные профили этих коэффициентов можно найти, не зная значения плотности частиц и вероятности спектральных переходов. В работе [5] проведены измерения, результаты которых использованы для расчетов коэффициентов поглощения и эмиссии; получено удовлетворительное совпадение с результатами других измерений. [24]
Коэффициент пропорциональности kK, определяющий относительное изменение интенсивности луча в поглощающем слое единичной толщины, называется коэффициентом ослабления луча. Этот коэффициент определяет интенсивность ослабления лучей в поглощающей среде и таким образом характеризует полную поглощательную способность среды, определяемую как собственно поглощением, так и рассеянием. [25]
Имеется ряд и достаточно эффективных способов изменения интенсивности луча лазера. Необходимость воспроизведения широкой полосы частот с целью получения высокой разрешающей способности диктует применение электрооптических или сходных быстродействующих устройств. Здесь будут рассмотрены электрооптические модуляторы двух видов: в одних используется линейный, а в других - квадратичный электрооптический эффект. Тип используемого электрооптического эффекта определяется классом симметрии электрооптического кристалла. [26]
Панель управления лучом с соответствующими элементами управляет интенсивностью луча и фокусировкой. [27]
Обычно поглощение характеризуют полутолщиной х, при которой интенсивность луча уменьшается вдвое. [28]
Для получения равномерной яркости при генерировании штрихов различной длины интенсивность луча при вычерчивании более длинных штрихов увеличивается. [29]
Коэффициент пропорциональности ( k), определяющий относительное изменение интенсивности луча в поглощающем слое единичной толщины, называют коэффициентом ослабления луча. Он определяет интенсивность ослабления лучей в поглощающей среде и, следовательно, характеризует полную по-глощательную способность среды, определяемую как поглощением, так и рассеянием. [30]