Интенсивность - отраженные рентгеновские лучей
Cтраница 1
 |
Текстурные максимумы на кривой распределения интенсивности для a const. Покшана масштабная линейка для определения углов 3, наложенная на дифракционную кривую. [1] |
Интенсивность отраженных рентгеновских лучей при повороте образца в плоскости прокатки не должна изменяться. [2]
Существует хорошо разработанная система подсчета интенсивностей отраженных рентгеновских лучей, если известно положение атомов, в решетке. [3]
Теперь мы знаем, как можно рассчитать структурный фактор по экспериментально найденным интенсивностям отраженных рентгеновских лучей. Имеется также способ расчета структурного фактора, если известны положения атомов и их факторы отражения ( /), а также поправки на тепловое движение. Желательно, дать более полное и простое определение структурного фактора, исходя из общего распределения электронов в кристалле, так как именно распределением электронной плотности обусловлены все отражения рентгеновских лучей. Каждый элементарный объем вносит свой вклад в структурную амплитуду всей элементарной ячейки. [4]
В 1947 г. английские ученые Харкер и Каспер доказали, что между интенсивностью отраженных рентгеновских лучей и их фазами существует определенная зависимость, обусловленная симметрией кристалла. Работа Харкера и Каспера; положила начало развитию нового подхода к решению структурной задачи - нового прямого метода определения фазы структурной амплитуды. В последующие годы был найден ряд соотношений между структурными амплитудами. Здесь необходимо оговориться, что применение прямых методов пока ограничивается центросимметричными кристаллами. Тем не менее успехи, достигнутые в этом направлении, позволяют надеяться, что будущему рентгеноструктурного анализа значительное место уготовлено прямым методом определения фаз структурных амплитуд. [5]
Эти приборы по специальной программе, записанной на перфоленте, производят установку исследуемого кристалла и счетчика, измеряют интенсивности отраженных рентгеновских лучей, а результаты выводят на другую ленту. При этом лента, управляющая установкой кристалла и счетчика, должна быть предварительно заготовлена на вычислительной машине, а лента с измеренными интенсивностями идет в машину для дальнейших расчетов. В этом случае экспериментатор может даже не знать численных значений результатов измерений. [6]
В то же время, так как пятна на лауэграмме создаются рентгеновскими лучами с разной длиной волны, то это делает метод Лауэ под ностью непригодным для оценки интенсивностей отраженных рентгеновских лучей. [7]
Рентгеновский способ основан на отражении рентгеновских лучей от поверхности полупроводникового материала. Интенсивность отраженных рентгеновских лучей зависит от плотности упаковки данной плоскости; чем больше эта плотность, тем интенсивнее отражение рентгеновских лучей. Поскольку плоскость ( 111) наиболее плотно упакована атомами, ей соответствует и большая интенсивность отраженных лучей. Кристаллографические плоскости полупроводниковых материалов характеризуются определенными углами отражения падающих на них рентгеновских лучей. Большее же применение для ориентации стержней находит оптический способ. [8]
Результирующие пучки имеют, следовательно, равные амплитуды и отличаются только по фазе. Поскольку интенсивность отраженных рентгеновских лучей зависит только от амплитуды, то d - и / - формы должны давать одинаковые дифракционные картины. Поэтому можно сказать, что сам процесс дифракции рентгеновских лучей вносит центр симметрии в оптически активные кристаллы. Несколько лет назад было обнаружено, что рентгеновские лучи с длиной волны, соответствующей возбуждению одного из внутренних электронов атома, рассеиваются этим атомом с аномальным изменением фазы. [9]
 |
Значение показателей текстуры ( К п различных углеродных материалов ( ГМЗ, ГМЗ-И, Ер и ПГ в зависимости от температуры обработки. [10] |
По полученным кривым распределения интенсивности отраженных рентгеновских лучей, представляющих функцию распределения плотности нормалей [002] кристаллитов в пространстве, определяли степень текстурированности материала двумя различными способами: по интенсивности дифракционных линий и по их форме. [11]
По полученным кривым распределения интенсивности отраженных рентгеновских лучей, представляющих функцию распределения плотности нормалей [002] кристаллитов в пространстве, определяли степень текстурирован-ности материала, исходя из интенсивности [ 54, с. Для слаботекстурированных материалов за показатель текстуры К обычно принимают отношение интенсивностей дифракционной линии ( 002) / тах / Лшп - Для высокотекстурированного материала типа пирографита такой способ оценки непригоден, вследствие того что / min близко к нулю. [12]
Случай идеального порядка и беспорядка - предельные случаи, между которыми существует все многообразие сплавов, находящихся в частично упорядоченном состоянии. Такие структуры характеризуются коэффициентами, которые называются степенью упорядоченности. Рассмотрение интенсивности отраженных рентгеновских лучей дает возможность получить численные характеристики этого явления. [13]
Расстояние между ближайшими соседями равно 2 8 А; расстояние до соседей, следующих за ближайшими ( радиус второй координационной сферы), равно 4 5 А для льда с трид-вмитотюдобной структурой, тогда как в вварцепо-добной структуре этот радиус равен только 4 2 А. Вследствие этого и происходит увеличение плотности при плавлении. Из сравнения экспериментальных данных по угловому распределению интенсивности отраженных рентгеновских лучей с теоретически вычисленными зависимостями следует, что структуру воды нельзя считать строго кварцеподобной. Температурная зависимость углового распределения интенсивности рассеянного рентгеновского излучения показывает, что в первом приближении вода содержит три типа структур, однако эти структуры нельзя отделить друг от друга. При повышении температуры появляются области большей плотности с кварцеподобной структурой ( вода II), что приводит к повышению плотности вплоть до температуры 4 С. Между 0 и 4 С повышение плотности при превращении структур тридимитолоиобная - варцеподобная оказывается сильнее, чем общее разрыхляющее действие повышения температуры на структуру. Это приводит к аномальному поведению воды в указанном интервале температур. При комнатной температуре области с жварцеподобной структурой занимают уже большую часть объема воды. При более высоких температурах структура становится все более изотропной и молекулы Н2О стремятся к: более тесной упаковке. Однако не следует считать, что эти три типа пространственного расположения молекул воды соответствуют различным областям в ее объеме. Вода при всех температурах - гомогенная жидкость, и структуры воды типов I, II и III появляются только как результат среднестатистического взаимного расположения молекул. [14]
Первые годы развития рентгеноструктурного анализа характеризуются как быстрой расшифровкой многих простых, но исключительно важных неорганических структур, так и быстрым развитием основных положений физической теории этого нового метода. Уже в 191 5 г. Дарвин показал, что кристаллы с совершенными решетчатыми структурами встречаются чрезвычайно редко. Брэгг предположил, что распределение вещества в кристалле, отражающего рентгеновские лучи, можно выразить математически с помощью рядов Фурье. Вскоре после этого он совместно с Шерером и Холлом создал простой, но важный метод использования в рентгеноструктурном анализе порошков вместо монокристаллов. Эвальд примерно в это же время разработал метод количественного расчета интенсивности отраженных рентгеновских лучей. Несколько позднее Эвальд выдвинул блестящую идею обрат-ной решетки. [15]
Страницы: 1