Cтраница 4
Стенд-скважина оборудована приспособлениями ( рис. 4.28, 4.29) для фрезерования аварийного объекта и вскрытия окна на обсадной колонне. [46]
В отличие от райберов ФРС и РПМ в конструкции фрезер-райбера ФРЛ-168 заложен новый принцип вскрытия окна. [47]
Зарезка и бурение второго ствола состоят из следующих этапов: выбора места в колонне для вскрытия окна, установки цементного моста и отклони-теля, вскрытия окна в колонне, бурения второго ствола до требуемой глубины, электрометрических работ, спуска новой эксплуатационной колонны или хвостовика и перфорации. [48]
При выборе базисных параметров необходимо помнить, что они должны оказывать наиболее существенное влияние на процесс вскрытия окна в обсадной колонне, иметь различную размерность, а определитель должен быть без нулевых столбцов. [49]
В первых фотошаблонах непрозрачные участки их соответствуют областям в кремнии, в которых надо провести диффузию или вскрытие окон в диэлектрическом слое. В последнем фотошаблоне непрозрачные участки соответствуют областям, с которых металлическая металлизация не удаляется. [50]
Для получения наилучших показателей работы инструмента необходимо установить качественное и количественное влияние многокритериальных факторов на показатели процесса вскрытия окна. [51]
Отклонитель закрепляют на забое в эксплуатационной колонне при помощи трехплашечной системы, которая исключает возможность проворачивания его при вскрытии окна и бурении второго ствола. Наклонная поверхность в виде желоба клина-отклонителя обеспечивает направление райбера и увеличивает площадь опоры между клином и режущим инструментом. Спускной клин соединяется с клином-отклонителя двумя болтами 5 и служит для спуска отклонителя в скважину. К верхней части спускного клина на резьбе крепится переводник 1 для соединения с колонной бурильных труб. [52]
Каждый типоразмер фрезера-райбера ФРС подразделяется на три номера - 1, 2 и 3, что обусловлено последовательностью процесса вскрытия окна. [53]
Универсальный райбер РУ ( см. рис. III.17) конструкции АзНИПИнефть, применяемый в сочетании с отклонителем МОД, предназначен для вскрытия окна в эксплуатационной колонне диаметром 168 мм за один рейс. [54]
Максимальный диаметр спускаемой эксплуатационной колонны или хвостовика определяем в зависимости от диаметра колонны, в которой будут проводиться работы по вскрытию окна. [55]
Запись информации в диодные ПЗУ и ПЗУ на транзисторах МЭТ-типа проводится либо выжиганием ненужных диодов или плавких вставок, либо сменой технологического шаблона вскрытия окон при изготовлении. [56]
Зарезка и бурение второго ствола состоят из следующих этапов: выбора места в колонне для вскрытия окна, установки цементного моста и отклони-теля, вскрытия окна в колонне, бурения второго ствола до требуемой глубины, электрометрических работ, спуска новой эксплуатационной колонны или хвостовика и перфорации. [57]
Местонахождение муфт гидрорасширителем определяют следующим образом: гидрорасширитель спускают в скважину на бурильных трубах и устанавливают его на 20 - 30 м выше предполагаемого места вскрытия окна. В колонну бурильных труб закачивают жидкость, под давлением которой резцы выходят из корпуса расширителя и упираются во внутреннюю поверхность обсадной колонны. Не прекращая закачки жидкости, гидрорасширитель осторожно опускают вниз. В месте расположения муфты резцы гидрорасширителя упираются в стык обсадных труб, что отмечается на гидравлическом индикаторе массы. Для продвижения гидрорасширителя вниз прекращают закачку жидкости, в результате чего резцы заходят в корпус; затем гидрорасширитель опускают на 0 3 - 0 4 м и вновь закачивают жидкость, чтобы создать давление АЛЯ нового выдвижения резцов. Местоположение последующих муфт определяют в том же порядке. Затем гидравлический расширитель извлекают из скважины и создают цементный стакан в колонне с расчетом установки отклонителя между муфтами. [58]
![]() |
Последовательность создания полной диэлектрической изоляции методом локальной гомоэпитаксии. [59] |
Технологический процесс по методу локальной гомо-эпи Таксии состоит из следующих этапов ( рис. 3.10): 1) нанесение на поверхность монокристаллического кремния пленки SiO2; 2) вскрытие окон в пленке SiO2 методом литографии; 3) выращивание во вскрытых окнах монокристаллического кремния методом газовой гомоэпитак-сии. Структура КНД формируется в результате наполза-ния эпитаксиальных областей на пленку SiO2, расположенную между окнами, служащими затравочными поверхностями. [60]