Интенсивность - рассеяние
Cтраница 2
Интенсивность рассеяния может быть связана с другими параметрами теплового потока. В более общем случае необходимо учесть также поглощение среды, определяемое коэффициентом поглощения. Такие задачи рассматриваются в следующей главе. [16]
Интенсивность рассеяния / л равна квадрату атомного множителя рассеяния Д и называется атомным множителем интенсивности. [17]
Интенсивность рассеяния зависит в первую очередь от числа электронов в оболочке и увеличивается с ростом порядкового номера элемента. [18]
Интенсивность рассеяния концентрационными флуктуациями может быть найдена с помощью того же метода, который был использован в предыдущем разделе. [19]
Интенсивность рассеяния под углом 90 / 90 равняется для него 1.7 бензольных единиц. Хотя эта относительно малая величина приблизительно соответствует верхнему пределу / 90 для стекол оптического каталога, она все же в 25 - 30 раз превосходит интенсивность рассеяния плавленым кремнеземом, что косвенно указывает на существование сравнительно больших флуктуации концентрации. При условии, что положение спинодали может быть определено на основе теории регулярных растворов [10], она приблизительно совпадает со значением, относящимся к той стадии расслаивания, когда возникающие фазы достигают спино-дальной концентрации. [20]
Интенсивность рассеяния электроном максимальна в направлении продолжения первичного пучка и в обратном направлении и минимальна в перпендикулярных направлениях. [21]
Интенсивность рассеяния света Я 5780 А бензолом при 25 С принята за единицу. [22]
 |
Оптический зонд для определения дисперсности капель. [23] |
Интенсивность рассеяния света фиксируется на фотопленку или измеряется фотоумножителем. [24]
Интенсивность рассеяния излучения атомом зависит от типа атома и его положения в ячейке. Интенсивность дифракционных максимумов измеряется по степени почернения фотопластинки или более точными электронными методами, в последние годы в основном с помощью автоматических дифрактомет-ров. Распределение электронной плотности устанавливается методами гармонического анализа дифракционных картин. [25]
 |
Снимки коллоидных частиц, полученные с помощью электронного. [26] |
Интенсивность рассеяния света зависит от концентрации коллоидных частиц, от их размеров и формы. [27]
 |
Зависимость светорассеяния ( мутности стекла 14Na2O 86SiO2 от температуры выдержки до закалки и длины волны. [28] |
Интенсивность рассеяния света зависит от тепловой обработки испытуемых образцов, от температуры и состава стекла и особенно резко возрастает в случаях, когда появляется опалесценция. Таким образом, ре-леевское рассеяние считается доказательством неоднородной структуры стекла. [29]
 |
Молекулы нуклеиновых кис - УХОДОВ, СМОЛ, ЗОЛИ лот ( а и молекулы гемоцианина ( б, Некоторых гидроокисей. [30] |
Страницы: 1 2 3 4 5