Интенсивность - малоугловое рассеяние
Cтраница 2
Построив кривую Б ( рис. 8.6, б) так, чтобы ординаты ее точек соответствовали разностям ординат исходной кривой А и касательной /, получаем зависимость для распределения интенсивности малоуглового рассеяния всеми остальными ( кроме самой мелкой) фракциями совокупности пор образца. Проведя аналогичную операцию для второй фракции, получим данные, относящиеся к третьей фракции: ф3 0 64 рад, tg ф3 0 85, 1 0 33 - Ю-12 мм2, Яоз 57 нм. [16]
По положению интерференционных максимумов малоуглового рассеяния от структурированных растворов и порошков комплексов определены эффективные радиусы корреляции. Получена линейная зависимость интенсивности малоуглового рассеяния для структурированных растворов и порошков комплексов. На этом основании определены значения минимальных радиусов инерции областей неоднородности электронной плотности, они совпадают со значениями эффективных радиусов корреляции. [17]
Расчеты показывают, что значительное ( примерно в 5 раз) падение интенсивности рефлексов может быть обусловлено примерно трехкратным увеличением AL / L. Кроме того, на интенсивность малоуглового рассеяния влияет также изменение геометрических параметров микрофибрилл. [18]
 |
Зависимость малоуглового рассеяния. [19] |
Прямое подтверждение этой модели было получено в работе [43] при изучении изменения интенсивности малоуглового рефлекса в зависимости от количества сорбированных атомов тяжелых элементов. Как видно из рис. 11.11, сорбция иода весьма сильно сказывается на интенсивности малоуглового рассеяния. [20]
При исследовании разбавленных р-ров идентичных частиц, напр, в случае биополимеров, интенсивность малоуглового рассеяния пропорциональна усредненной по всем ориентациям интенсивности рассеяния одной частицей, что позволяет определять геом. [21]
Интенсивность малоугловых слоевых рефлексов, существование которых обусловлено чередованием кристаллических и аморфных участков, на рентгенограммах этих пленок очень мала, а иногда рефлексы вообще отсутствуют. Однако этот факт не может служить доказательством отсутствия периодического расположения кристаллических и аморфных областей, поскольку снижение интенсивности малоуглового рассеяния может быть вызвано целым рядом других причин, например, разбросом значений большого периода и др. ( стр. [22]
Однако Чоу и Тэрнбалл на основании проверки соотношения Порода методом малоуглового рентгеновского рассеяния - и анализа временных колебаний электронной плотности полагают, что разделение фаз происходит только путем спинодального распада. На рис. 3.52 показаны зависимости параметра Порода iQ3 / n ( Q) и колебаний электронной плотности от времени отжига аморфного сплава Pd74Au8Sii8 при 392 С, полученные Чоу и Тернбаллом [64] по интенсивности малоуглового рассеяния. [23]
В процессе приготовления образцов для механических испытаний не исключена возможность образования тетраэд-рических дефектов упаковки или дислокационных петель, хотя методика закалки кристаллов для электронно-микроскопических исследований была другой. Все эти изменения происходят последовательно. Сразу после закалки упрочнения практически нет и малоугловое рассеяние не наблюдается. После старения в течение 100 мин при 25 С предел текучести и интенсивность малоуглового рассеяния достигают максимальной величины. После этого наблюдается постепенное уменьшение, но полного возврата не происходит. Уменьшение электросопротивления почти полностью заканчивается через 600 мин. Хотя эти две методики закалки не идентичны, все же можно предположить, что появление темных пятен в меди связано с упрочнением. [24]
Страницы: 1 2