Cтраница 1
Интенсивность рекомбинации зависит от концентрации заряженных частиц в стволе дуги, температуры ствола дуги и наличия в зоне нейтральных тел ( плоскостей) и свойств газа. Рекомбинация значительно повышается при тройных соударениях, когда скорость электрона вследствие удара понижается, а потом он захватывается положительным ионом. [1]
Интенсивность рекомбинации зависит от напряженности электрического поля: чем меньше напряженность электрического поля, тем меньше скорость движения ионов и тем больше вероятность их рекомбинации. Отсюда следует, что в дуге переменного тока рекомбинация особенно интенсивна в те моменты, когда напряжение на дуге близко к нулю. [2]
Интенсивность рекомбинации зависит также от температуры и сечения дуги: чем ниже температура и чем меньше сечение дуги, тем интенсивнее рекомбинация. [3]
Интенсивность рекомбинации оказывается здесь пропорциональной первой степени концентрации генерированных светом носителей, и поэтому этот случай ( р Дп) носит название линейной рекомбинации. [4]
Интенсивность рекомбинации ( захвата) пропорциональна первой степени концентрации неравновесных носителей. Этот случай реализуется, например, тогда, когда имеется один тип дырок, с которыми рекомбинируют неравновесные электроны, причем концентрация этих дырок р весьма велика и практически не зависит от освещения. [5]
Интенсивность рекомбинации пропорциональна квадрату концентрации неравновесных носителей. Это имеет место, например, в случае, когда концентрация равновесных носителей равна нулю и при ионизации электроны переводятся из нижней зоны в верхнюю; при этом концентрация неравновесных электронов и дырок оказывается одинаковой, и интенсивность рекомбинации, согласно (4.8) и (4.10), равна 7 Are Др 7 ( Дя) 2 - ] Этот случай мы будем именовать случаем квадратичной рекомбинации. [6]
![]() |
Кривые нарастания и спада фототока в случае линейной рекомбинации при импульсном освещении образца. [7] |
Здесь интенсивность рекомбинации оказывается пропорциональной квадрату концентрации, и поэтому рекомбинация в этом случае называется квадратичной. [8]
Итак, интенсивность рекомбинации ( захвата) определяется дробью, в знаменателе которой стоит время жизни по отношению к переходу данного типа. [9]
Следует подчеркнуть, что в противоположность случаю непосредственной рекомбинации зонных электрона и дырки, когда интенсивность рекомбинации ( при больших интенсивно-стях освещения) пропорциональна квадрату концентрации носителей ( см. § 5 гл. [10]
Кроме процесса генерации при засветке может быть и рекомбинация носителей, причем с ростом концентрации неравновесных электронов и дырок интенсивность рекомбинации увеличивается. Поэтому через некоторое время после начала освещения в полупроводнике устанавливается постоянная ( стационарная) проводимость. [11]
На молекулярные процессы, развивающиеся в полимерах при воздействии электрических разрядов, существенно влияют механические деформации полимера, уменьшающие интенсивность рекомбинации и сшивки макрорадикалов и изменяющие скорость окислительных реакций. Как правило, даже малые растягивающие напряжения ( если они не вызывают ориентации полимерных цепей) увеличивают скорости окислительно-деструктивных процессов и препятствуют сшивке полимерных цепей, что значительно изменяет электрические характеристики полимеров и ускоряет электрическое старение. [12]
Число рекомбинаций в единицу времени пропорционально произведению числа свободных положительных и отрицательных зарядов, находящихся в данном объеме; таким образом, с усилением интенсивности ионизации усиливается и интенсивность рекомбинации. [13]
Поскольку в условиях термодинамического равновесия ( когда справедлив принцип детального равновесия) количество испускаемой лучистой энергии в любом интервале длин волн равно количеству поглощаемой энергии в том же интервале, можно вычисление интенсивности рекомбинации равновесных носителей заменить вычислением интенсивности поглощения. При этом, однако, необходимо знать, какая доля поглощаемых квантов расходуется на образование пар электрон-дырка. [14]
Второй член правой части уравнения (1.241) учитывает уменьшение концентрации неосновных носителей заряда в результате процесса рекомбинации. Интенсивность рекомбинации можно считать пропорциональной концентрации неравновесных носителей только в том случае, если время жизни неравновесных носителей ( одинаковое для электронов и дырок) т не зависит от их концентрации. [15]