Cтраница 4
![]() |
Динамика обводнения скважины при разной проницаемости. [46] |
Таким образом, наличие в коллекторе подвижной пластовой воды приводит к быстрому обводнению продукции добывающей скважины, эксплуатирующей залежи вязкой и высоковязкой нефти. При этом, в призабойной зоне пласта возникает небольшая область повышенной водонасыщенности, препятствующая движению нефти и приводящая практически к предельной обводненности добываемой продукции. Интенсивность возникновения области повышенной водонасыщенности сильно зависит от проницаемости коллектора и от вязкостных характеристик фильтрующихся жидкостей. [47]
С вероятностью единица Е является конечным подмножеством Х элементы Е будут называться сообщениями. Во введении предполагалось, что X является интервалом [ О, ц), и интенсивность возникновения сообщений была принята равной Я. [48]
Наиболее простое распределение конфликтных ситуаций в транспортных узлах показано на рис. 2.1. Это пересечения, слияния и ответвления. Они практически исчерпывают все виды конфликтов. Однако для оценки опасности каждого конфликта я опасности пересечения в целом необходимо учесть и другие обстоятельства: 1) углы пересечений; 2) характер маневра; 3) рядность; 4) интенсивность возникновения конфликтных ситуаций ( интенсивность маневров); 5) дорожные планировочные и регулировочные условия. [49]
Условия образования гидратов определяются составом природного газа. С увеличением молекулярной массы индивидуального газа или смеси газов, при меньших значениях давления, при одинаковой температуре более вероятно образование гидратов. Процесс гидратообразования в большинстве случаев протекает на границе раздела фаз газ - вода при условии полного насыщения природного газа влагой, но эти же процессы могут протекать и в условиях не-донасыщения природного газа парами воды. В этой связи возникает необходимость прогнозирования мест образования и интенсивности возникновения гидратов в системах добычи, подготовки и транспорта газа, а это обусловлено влагосодержанием природного газа и его изменением при различных термодинамических условиях. [50]
В § 16 введена величина xi ( z) (16.10), названная погонным коэффициентом потерь мощности рабочей волны. Отмечено, что при создании протяженных трактов следует стремиться к тому, чтобы xi ( z) незначительно отличался от коэффициента омических потерь основной волны 2ui, поскольку иначе теряются преимущества использования в качестве рабочей волны той, которая имеет наименьшие омические потери. Было установлено, что требование малости потерь эквивалентно требованию преобладания доли мощности рабочей волны в общей мощности, распространяющейся по волноводу. Докажем, что последнее требование выполняется, если существует определенное соотношение между интенсивностью возникновения паразитных волн в линии и величиной фильтрации. [51]
Большой цикл исследований содержания элементов в неорганических аэрозолях был выполнен в 1967 - 1975 гг. сотрудниками лаборатории физики аэрозолей Ленинградского университета. Существует, например, суточный ход содержания химических компонентов, обусловленный суточными вариациями интенсивности возникновения аэрозоля, а также конвективных и адвективных процессов в1 атмосфере. [52]
![]() |
Системные отказы вследствие отказов процессора в зависимости от загрузки процессора. [53] |
Известно, что безотказность ЗУ на магнитных сердечниках зависит от его нагрузки. Например, для некоторых систем не рекомендуется непрерывный доступ к одной и той же области памяти, для других - умышленно замедляют доступ к памяти во избежание ее перегрева. Стандартные тесты для таких ЗУ используют непрерывный многократный доступ к одной и той же области памяти при таких входных воздействиях, которые порождают наибольшие помехи. Особенно много исследований сделано для сравнительно недавно появившейся МОП-памяти, для которой характерны чувствительность к комбинациям значений сигналов на входах и изменения временных соотношений в соответствии с нагрузкой. Как и для процессоров, увеличение нагрузки памяти вызывает рост интенсивности возникновения перемежающихся отказов, которая изменяется от устройства к устройству в соответствии с их нагрузкой. [54]