Достаточная интенсивность - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Умный мужчина старается не давать женщине поводов для обид, но умной женщине, для того чтобы обидеться, поводы и не нужны. Законы Мерфи (еще...)

Достаточная интенсивность

Cтраница 2


Таким образом, ультразвук достаточной интенсивности разрушает коллоидную структуру ЧАС в водной и органической фазах. Достичь подобных эффектов разрушения мицеллярной структуры экстрагента другими известными физическими способами не удается.  [16]

Хромогены еще не обладают достаточной интенсивностью и способностью окрашивать другие вещества, в частности текстильные волокна, к которым они совершенно не имеют сродства. Кроме того, очень часто цвет хромогенов не отличается достаточной яркостью и чистотой.  [17]

Указанные процессы протекают с достаточной интенсивностью уже при давлениях порядка атмосферного, поэтому проблема введения энергии в активную среду таких лазеров оказывается технически значительно менее сложной, чем в случае лазеров на димерах инертных газов. Для возбуждения лазера применяется либо пучок быстрых электронов, либо импульсный электрич. При использовании пучка быстрых электронов выходная энергия лазерного излучения достигает значений - 10 3 Дж при кпд на уровне неск.  [18]

19 Использование эффекта расстройки резонансных условий для измерения напряженности поля гетероядерной раз. [19]

Если мы будем с достаточной интенсивностью облучать систему точно иа частоте протонов, то дублет углерода превратится в сииглет.  [20]

При рекомендуемых скоростях газов обеспечивается достаточная интенсивность теплообмена и не наблюдается заметного истирания и заноса труб летучей золой.  [21]

Нет сомнений, что ультразвук достаточной интенсивности может нагреть любую локализованную область ткани до используемых в гипертермии температур ( больше 42 С, см. разд. С технической точки зрения преимущество ультразвука перед электромагнитным нагревом состоит в том, что выделение энергии в среде может быть лучше локализовано, при необходимости используя фокусировку.  [22]

Совокупность этих явлений при их достаточной интенсивности приводит к тому, что пласты, являвшиеся опасными по внезапным выбросам и горных ударам, после их подработки становятся неопасными.  [23]

Тепловые флуктуации атомов не достигают достаточной интенсивности для возможности усиленной диффузии, которая могла бы вызывать заметную деформацию металла под нагрузкой. В противоположность этому при высоких температурах вторая стадия ползучести при длительном нагружении является важным фактором, влияющим на деформации и срок службы деталей машин и конструкций.  [24]

Клессону, то свет имеет достаточную интенсивность и после фильтрации, и можно таким образом приблизительно оценить квантовые выходы.  [25]

В этом интервале можно получить достаточную интенсивность излучения, хотя при экспериментировании с излучением самых коротких длин волн приходится преодолевать значительные трудности. Поскольку содержание главы ограничено рассмотрением излучения с энергией до 10 эВ, целесообразно сделать некоторые замечания о других типах излучения.  [26]

Светодиоды из карбида кремния обладают достаточной интенсивностью свечения при незначительном потреблении энергии и дают широкий спектр свечения, характеризуются также радиационной стойкостью.  [27]

28 Фотодимеризация аце-нафтилена в транс-цимерную форму под действием ультрафиолетового излучения. [28]

Есть основания предполагать, что при достаточной интенсивности потока фотонов вдоль линий дислокации будут возникать димерные кластеры различных размеров. Как указывают Поуп и Калман [312], такие кластеры физических димеров ( или предимеров) различной величины могут составить значительную часть собственных ловушек в органических кристаллах. Более того, глубины этих ловушек будут коррелировать с размерами кластеров, создавая квазиэкспоненциальное распределение глубин ловушек. Такая мысль развита в недавней работе Паркинсона ( Parkinson G. Следует отметить, что наши знания о несовершенствах в кристаллах, особенно о планарных дефектах, еще недостаточны. Недавно появилось сообщение [299], в котором идентифицирован планарный дефект в плоскости ( 001), возникающий, если часть кристалла, находящаяся над данной дефектной плоскостью, поворачивается на большой угол до совмещения решетки с верхней плоскостью нижней половины кристалла. Кроме того, в настоящее время убедительно доказано [300], что новая триклинная фаза кристалла антрацена может сосуществовать ( в качестве объемного дефекта) со стабильной моноклинной формой, если образцы последней подвергаются напряжению сдвига. Оба этих вида дефектов, концентрации которых зависят от условий предварительной обработки, могут влиять на экситонные и электронные свойства антрацена и многих других молекулярных кристаллов, в которых они, несомненно, образуются.  [29]

30 Масс-спектр двух веществ, имеющих эмпирическую формулу СзНеО. а - ацетон. б - пропионовый альдегид. [30]



Страницы:      1    2    3    4