Cтраница 1
Энергия падающего излучения при этом может быть определена лишь путем измерения при помощи специальных приборов - радиометров или актинометров. [1]
Схема калориметрического измерителя энергии излучения с жидким поглотителем.| Схема калориметрического измерителя с жидким поглотителем. [2] |
Энергию падающего излучения измеряют через 30 сек после подачи импульса. Это время определяется длительностью конвекционных процессов до установления однородного распределения температуры. [3]
Как распределяется энергия падающего излучения. [4]
В зависимости от энергии падающего излучения процессы, происходящие в веществе при поглощении этой энергии, различны. В таблице 1 приведен электромагнитный спектр и показано, какие изменения вызывает излучение различных длин волн. [5]
На длине волны желтого света энергия падающего излучения точно равна работе выхода для натрия и электроны имеют достаточную энергию, чтобы преодолеть поверхностный потенциальный барьер. Однако они остаются на поверхности, создавая избыточный поверхностный заряд. [6]
Рассмотрим сначала теалофиэические основы измерения энергии падающего излучения и количества облучения при помощи радиометров - измерительных приборов, снабженных приемниками излучения, трансформирующими всю энергию поглощенного излучения в теплоту. Основные виды приемников излучения радиометров - пластинчатые и полостные, имитирующие абсолютно черное тело. [7]
В сочетании с абсолютными измерениями энергии падающего излучения или количества облучения тепловым методом, когда обеспечивается неизбирательнрсть поглощения излучения в широком спектральном интервале, недостатки фотоэлектрического метода при относительных измерениях облученности существенно ослабляются, а его достоинства используются в полной мере. [8]
Когда в случае полупроводника или диэлектрика энергия падающего излучения hv достаточна только для перевода электрона в зону проводимости, может иметь место лишь внутренний фотоэффект. На этом явлении ( известном как внешний фотоэффект) основано действие вакуумных и газонаполненных фотоэлементов, катоды которых, как правило, представляют собой полупроводниковые материалы. [9]
Сечения взаимодействия излучения с веществом существенно зависят от энергии падающего излучения, причем эта зависимость часто носит резонансный характер, поэтому вопросы усреднения сечений играют важную роль. [10]
Агрегатное состояние облучаемого вещества влияет на механизм потери энергии падающего излучения высокой энергии, на передачу и локализацию энергии в веществе. [11]
Его опыты показали, что сила давления света пропорциональна энергии падающего излучения. Значение давления света, измеренное П. Н. Лебедевым, с точностью до 20 % совпало с величиной давления, предсказанной Максвеллом. [12]
Ход луча в камере с узким отверстием.| К определению видов теплового излучения. [13] |
Обычно со стороны других тел на рассматриваемое тело поступает энергия падающего излучения Ez. [14]
Для нахождения сечения нужно разделить это выражение на поток энергии падающего излучения. [15]