Cтраница 4
Значительно более высокие значения z имеют полупроводники. В качестве полупроводниковых термоэлектродных материалов в настоящее время наиболее распространены соединения на основе теллура; среди них наибольший интерес представляют В12Те3 и РЬТе. Для В12Те3 значения z изменяются примерно от 3 - Ю 3 до 1 - 10 - 3 Кг1 при увеличении температуры от 200 до 700 С, а для РЬТе - примерно от 2 - 1Q - 3 до 0 5 - 10 - 3 К 1 при увеличении температуры от 200 до 700 С. К сожалению, эти полупроводники имеют невысокую термическую стойкость - температура плавления В12Те3 равна 584 С, а температура плавления РЬТе 922 С. Это ограничивает температурный интервал применения данных термоэлектродных материалов. [46]
Однако процесс взаимодействия СаО и Si02 протекает медленно, поскольку при данной температуре кремнезем является химически малоактивным соединением. Кристаллический кремнезем становится реакционноспособным при температурах выше 120 С. В то же время в литературе указывается, что имеется возможность получения искусственного камня в рассматриваемой системе при меньших температурах. Например, В. С. Да-нюшевский [33] указывает нижний предел применимости ИКЦ до 60 С. Мы согласны с этим мнением и считаем, что расширение температурного интервала применения ИКЦ возможно несколькими путями. Увеличения величины К, очевидно, можно достичь и искусственно, повышая степень дефектности структуры. [47]