Энергия - электронный пучок
Cтраница 3
Осветительное устройство состоит из трехэлектродной электронной пушки ( / /) с диафрагмой, ограничивающей апертуру освещения объекта. Энергия электронного пучка составляет 454 - 50 кэв. При помощи несложного механизма в пучок может вводиться одна из двух установленных на столике ( 12) диафрагм, что позволяет изменить апертуру пучка во время работы микроскопа. Величина апертуры устанавливается равной 0.54 - 1 - Ю 3 радиана. [31]
Можно видеть, что для электронов, особенно если принять во внимание третье измерение, число одновременно дифрагирующих пучков очень велико. Если увеличить энергию электронного пучка ( причем длина волны соответственно уменьшится), сфера Эвальда станет почти плоской, а число отражений для такой ориентации будет быстро возрастать, особенно для энергий, превышающих 200 кэВ, когда релятивистские эффекты начинают играть важную роль. [32]
 |
Схема электронного плавильного устройства. [33] |
Если же подвергать электронной бомбардировке стержень, передвигаемый вверх и вниз внутри катода, то будет осуществлен процесс зонной плавки стержня. Благодаря возможностям тонкой регулировки энергии электронного пучка процесс может быть осуществлен с большой точностью. [34]
При энергии выше 40 - 50 эв интенсивность пика заметно не меняется. Поэтому обычный спектр снимают при энергии электронного пучка 50 - 70 эв, когда высота пика нечувствительна к небольшим изменениям энергии электронов, что важно для хорошей воспроизводимости спектра. [35]
Другой трудностью при идентификации молекулярного иона может явиться наличие примеси еще более высокого молекулярного веса, осколки молекул которой могут затемнить искомый пик. В такой ситуации рекомендуется снизить энергию электронного пучка приблизительно до 8 - 13 эв. На рис. 40 показано, что при энергии, несколько более низкой, чем потенциал появления наиболее интенсивного осколка, например АВ, но несколько более высокой, чем потенциал ионизации соединения ABCD, может образоваться только молекулярный ион. На снятом в таких условиях спектре будет присутствовать только один пик, соответствующий величине молекулярного веса. Как показывает опыт, если потенциал появления ранее мешавших осколочных ионов примеси лежит еще выше, то соответствующие пики в большинстве случаев не обнаруживаются. [36]
При алюминировании большое значение имеют толщина алюминиевой пленки и равномерность толщины пленки по всему экрану. На прохождение алюминиевой пленки затрачивается часть энергии электронного пучка, причем с увеличением толщины алюминиевого покрытия возрастают потери энергии, что приводит к уменьшению яркости. С другой стороны, с увеличением толщины пленки алюминиевого покрытия возрастает коэффициент отражения, что повышает яркость. Для получения равномерной яркости и контрастности необходимо получить алюминиевый слой одинаковой толщины по всему экрану. Толщину алюминиевой пленки, нанесенной на сложную поверхность экрана, измерять прямыми методами весьма сложно, поэтому измерение толщины алюминиевой пленки производят косвенными методами. На рис. 2 - 62 показана электрическая схема прибора, предназначенного для быстрого неразрушающего измерения толщины тонкой алюминиевой пленки при алюминировании экранов ЭЛТ, термоизлучающих и зеркальных ламп, а также других подобных изделий. Измерение толщины тонкой металлической пленки производится методом сравнения измеряемой пленки с эталонной. [37]
СВЧ генераторах, в МЦР преобразование энергии стационарного электронного пучка в излучение оказывается возможным благодаря группировке частиц полем затравочной волны. [39]
ЭЛП, на к-ром в результате преобразования энергии электронного пучка в энергию светового излучения создается видимое изображение. Вт / Вт) и световая ( до 100 лм / Вт) эффективности, значит, мгновенная ( 108 кд / м2) и ср. Для повышения яркости и контраста изображения на слой люминофора обычно наносят тонкий слой ( 0 5 - 1 мкм) алюминия. [40]
Ширина светящейся зоны полупроводника при электроннолучевой бомбардировке зависит от глубины проникновения, следовательно, от энергии падающих электронов. Для увеличения снимаемой с полупроводника энергии лазерного излучения стремятся увеличить энергию электронного пучка, однако во избежание разрушения кристалла энергия пучка не должна превышать 300 - 500 Кэв. [41]
В тех случаях, когда источниками излучения служат мощные ускорители электронов, удаление озона и окислов азота связано с серьезными трудностями. Проведенный авторами книги расчет показал, что при поглощении воздухом только 1 % энергии электронного пучка, создаваемого ускорителем типа ЭлТ - 1 5, в течение 1 ч образуется около 15 г окислов азота и примерно 5 г озона. Поэтому даже при мощной местной вентиляции концентрация окислов азота и озона в зоне облучения может достигать значительной величины ( при 1000-кратном обмене воздуха в час соответственно 15 и 5 мг / л), которая будет возрастать с уменьшением энергии электронов. В связи с тем, что размеры зоны облучения невелики ( 1 - 3 л), инертный газ расходуется даже при больших масштабах производства в очень малых количествах. Его расход снижается с уменьшением размеров зоны облучения. Поэтому подвергаемое радиационной обработке изделие необходимо располагать возможно ближе к окну ускорителя. Если коэффициент использования падающей энергии излучения ниже 100 %, то для поглощения прошедших через изделие частиц на минимальном расстоянии от него ставится экран, который для снижения интенсивности, тормозного излучения изготавливается из материала с малым атомным номером. [42]
Фотонные пучки, используемые в терапии рака и в ядерных исследованиях, получают торможением высокоэнерге-дических электронных пучков в мишенях из тяжелых металлов. Этот же способ обычно используют для получения рентгеновского излучения, только в последнем случае энергия электронного пучка меньше. [44]
Это делает их весьма удобными для использования в очистных сооружениях. Ускорители имеют высокий КПД ( 80 % - 85 %) преобразования исходной электрической энергии в энергию электронного пучка, что весьма важно с экономической точки зрения, особенно при реализации широкомасштабных проектов. [45]
Страницы: 1 2 3 4