Выбор - источник - излучение - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Психиатры утверждают, что психическими заболеваниями страдает каждый четвертый человек. Проверьте трех своих друзей. Если они в порядке, значит - это вы. Законы Мерфи (еще...)

Выбор - источник - излучение

Cтраница 1


1 Схемы просвечивания сварных соединений и конструкций. [1]

Выбор источника излучения, типа пленки и усиливающих экранов производится в зависимости от материала сварного соединения и контролируемой толщины таким образом, чтобы значения чувствительности не превышали половины размера дефекта, который должен быть выявлен при контроле.  [2]

Выбор источника излучения определяется его экономя ч иостыо в той области спектра, где поглощают вещества, участвующие в реакции.  [3]

4 Зависимость толщины пленки фоторезиста на основе продукта 83 и новолака от числа оборотов центрифуги при различных. [4]

Выбор источника излучения определяется спектральным распределением чувствительности фоторезиста.  [5]

6 Влияние усиливающих экранов на чувствительность радиографического метода при просвечивании стали у-излучением 54Еи. [6]

Выбор источника излучения обусловливается технической целесообразностью и экономической эффективностью.  [7]

8 СХЕМЫ ПРОСВЕЧИВАНИЯ КОЛЬЦЕВЫХ СОЕДИНЕНИЙ С УСТАНОВКОЙ ИСТОЧНИКА ИЗЛУЧЕНИЯ ВНУТРИ ( а И СНАРУЖИ ( б, в ИЗДЕЛИЯ I-источник излучения. 2 - изделие. 3-рентгеновская пленка. [8]

Выбор источника излучения ( рентгеновского аппарата и рентгеновской трубки) определяется радиографическими свойствами материала изделия, его толщиной, а также конкретными условиями и требованиями, предъявляемыми к контролю. Как показано в работах [3, 4], полиэтилен, полистирол и полиамиды среди полимерных материалов имеют самые низкие средние линейные коэффициенты ослабления ц рентгеновского излучения. Поэтому для контроля качества сварных соединений из этих материалов необходимо работать с очень мягким излучением.  [9]

10 Номограмма для определения экспозиций при просвечивании излучением аппарата РУП-150 / 300 - 10. Рентгеновские трубки. [10]

Выбор источника излучения обусловливается технической целесообразностью и экономической эффективностью.  [11]

Выбор источника излучения обусловлен материалом и толщиной полуфабриката или изделия, а также используемым индикатором излучения.  [12]

При выборе источника излучения предпочтение отдается, как правило, рентгеновским аппаратам, обеспечивающим по сравнению с гамма-дефектоскопами лучшую чувствительность контроля и более удобным в обращении. Однако рентгеновские аппараты не всегда удобны из-за особенностей контролируемой конструкции, и они не позволяют проводить контроль соединений большой толщины. Поэтому для контроля сварных соединений промышленность выпускает как рентгеновские аппараты различного типа с разными диапазонами энергий излучения, так и разного типа гамма-дефектоскопы. Для просвечивания изделий с большой толщиной стенки изготовляют различные ускорители.  [13]

При выборе источника излучения для измерения светорассеяния предпочтение следует отдать газовым лазерам, поскольку в соответствии с теорией светорассеяния на частицу должна падать плоская монохроматическая волна. Излучение газового лазера наиболее близко к идеальной плоской монохроматической волне.  [14]

Для осуществления реакций, в которых участвуют многоатомные молекулы, выбор источника излучения определяется спектром поглощения вещества и энергетическими соображениями. Например, для алифатических кетонов, которые поглощают в области 2300 - 3200 А, очень подходящим источником является ртутная дуга, так как можно использовать линии или труппы линий с длинами волн близкими к 2537, 2653, 2804, 3021 и 3130 А, причем их энергии достаточно, чтобы вызвать диссоциацию. Азосоединения обычно имеют максимум поглощения в области 3400 - 3500 А. В этом случае также пригодна ртутная дуга, позволяющая использовать сильную группу линий с длинами волн около 3650 - 3663 А. С другой стороны, простые алифатические углеводороды прозрачны вплоть до далекой ультрафиолетовой области, вследствие чего наиболее обычная методика изучения их фоторазложения основана на осуществлении реакций, сенсибилизированных парами ртути с использованием резонансной лампы низкого давления.  [15]



Страницы:      1    2    3    4