Выбор - кристалл
Cтраница 1
 |
Модель МА-центра в кристалле КС1.| Дифракционная эффективность голограммы на Рл-центрах в зависимости от экспозиции. [1] |
Выбор кристалла КС1 - Na объясняется тем, что: а) для записи и стирания эффективно может быть использован гелий-неоновый лазер; б) эта среда относительно более чувствительна по сравнению с другими фотохромными материалами; в) возможно неразрушающее считывание, если кристалл охлажден до низких температур. [2]
Выбор кристалла для регистрации спектра НПВО рекомендуется начинать с KRS-5, хотя бы из тех соображений, что он в сотни раз чаще применим для этой цели, чем AgCl. Вообще для исследования НПВО всех окрашенных материалов, пленок и красок следует подбирать кристалл, начиная с KRS-5. Для полистирола, напротив, более подходящим кристаллом оказывается AgCl. Подобрав кристалл, нужно выбрать оптимальный угол падения. Варьируя углы, не следует добиваться максимальной энергии на выходе приставки, нет необходимости добиваться и максимального проникновения излучения в исследуемую среду. [3]
 |
Схема съемки в спектрографе с плоским кристаллом. [4] |
Выбор кристалла для спектрального анализа определяется длинами волн исследуемых веществ. Так как межплоскостное расстояние кристалла-анализатора должно, во всяком случае, превосходить половину длины волны исследуемого излучения, для средних и коротких волн обычно пользуются каменной солью, кварцем и исландским шпатом, а для длинноволнового излучения - аквамарином и слюдой. [5]
 |
Структурная схема KPI801PE2. [6] |
Выбор кристалла, позволяет осуществлять дополнительную выборку. [7]
 |
Внешнее пространство данных.| Управление памятью DSP. [8] |
Выбор кристалла периферии должен осуществляться с помощью линий адреса и строба данных, так чтобы регистры периферийных устройств находились в пространствах X и Y по одним и тем же адресам. На рис. 2.24 приведена структурная схема системы ЦОС с внешней памятью основе DSP56000 и показаны сигналы управления блоками памяти данных и программ. [9]
УЗ-вход выбор кристалла SE; 14 - вход мультиплексный адресный строб МАО, 15 - вход чтение - запись RD / WR; 16 - вход запись WR; 17 - вход строб данных CD; 18-вход сброс SR; 19 - выход запрос на прерывание RQINR; 20 - вход выбора значения выходной тактовой частоты SED; 21 - выход тактовой частоты SYN1; 22 - вход сбой питания FL; 23-выход промежуточных каскадов делителя частоты тактовых импульсов SYN2; 24 - напряжение питания. [10]
 |
Сопряжение перепрограммируемых ПЗУ типа 2716 с микропроцессором Z80 ( кристалл адресуется числами от 8000ie до FFFFie. [11] |
Для выбора кристалла вместе с адресными линиями используются линии RD и MREQ от процессора. При выполнении операции чтения микропроцессор Z80 ( рис. 4.25) помещает адрес на адресную шину и затем на линии RD и MREQ подается сигнал низкого уровня. Центральный процессор ожидает поступления затребованного байта на шину данных в течение определенного интервала времени. Если в течение этого времени нужный байт данных будет выдан из устройства памяти, то операция чтения будет выполнена правильно. Как следует из рис. 4.22, изготовитель гарантирует, что задержка выдачи адреса для устройства 2716 не превысит 450 не, а задержка на выводе отпирания кристалла будет не меньше 120 не. [12]
 |
Применение Г ИС 8251 в синхронном интерфейсе. [13] |
Три линии выбора кристалла CS2 - CSO, две линии выбора регистра RS-RSO, линия считывания / записи и линия разрешения упрощают интерфейс с линиями адреса и управления системной машины. [14]
Наличие линий выбора кристалла дает возможность использовать два кристалла с общими линиями а) питания, б) земли, в) адреса или г) инвертирования. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5