Выбор - материал - подложка
Cтраница 1
Выбор материала подложки для выращивания тонких моно-или поликристаллических слоев различных веществ часто определяется не столько кристаллографическими особенностями, сколько его физическими свойствами. [1]
 |
Станнид ниобия, полученный осаждением из газовой фазы на проволоку диаметром 0 018 см из тантала ( а и платины ( б. [2] |
При выборе материала подложки нужно также обращать внимание на его коэффициент теплового расширения. Если коэффициенты расширения пленки и подложки не совпадают при охлаждении ленты с покрытием-от температуры осаждения до температуры окружающей среды, в пленке возникают напряжения. Об этом указывает характер трещин при использовании различных подложек. При осаждении NbsSn на молибден и вольфрам, имеющие меньшие коэффициенты линейного расширения, в пленке возникают остаточные растягивающие напряжения. [3]
При выборе материала подложек следует учитывать, что коэффициенты термического расширения подложил и осаждаемого материала должны быть близки друг к другу, так как пленка осаждается при повышенной температуре и при охлаждении до комнатной температуры в ней могут возникнуть напряжения, приводящие к разрушению пленки или подложки. [4]
Поэтому при выборе материала подложки необходимо принимать во внимание не только способность поглощать ИК-из-лучение, но и упругость. Кроме того, подложки должны характеризоваться некоторой адгезией к расплаву полимера - немного прилипать к расплаву, так как в противном случае получаются узкие жгутообразные швы, отличающиеся пониженной морозостойкостью. [6]
Выбор материала проводников производится одновременно с выбором материала подложки с учетом адгезии проводника к подложке. [7]
Однородность характеристик пленок в значительной мере определяется правильностью выбора материала подложки и состоянием ее поверхности. Материал подложки должен удовлетворять следующим требованиям: высокой теплопроводности; электрической и механической прочности; химической инертности; соответствию коэффициента теплового расширения подложки коэффициенту расширения материала пленки; высокой степени точности и чистоты поверхности. [8]
При изготовлении электрографических пластин особое внимание необходимо обратить иа выбор материала подложки и обработку ее поверхности. [9]
Если при изготовлении устройств СВЧ методом иавесиого монтажа ЭСП выбор материала подложки в основном регламентируется конструктивными соображениями, то в случае плаиарного ( монолитного) или гибридного метода изготовления устройства важную роль играют физико-технические свойства материалов подложки. [10]
При осаждении Nb3Sn на проволоку основная проблема заключается, в выборе материала подложки. Вольфрам и тантал оказались непригодными для этой цели, поскольку раньше, чем успевает образоваться NbsSn, начинается рост эпитаксиальной пленки свободного ниобия. Поперечный разрез такого образца показан на рис. 6, а. На снимке, помимо небольшого числа точечных зародышей, видны большие трещины в станни-де ниобия. Полученные результаты указывают на то, чти для облегчения зарождения фазы Nb3Sn нужна подложка из материала со структурой р-вольфрама. [11]
Таким образом, первый способ исполнения СВЧ устройств на ЭСП практически не предъявляет серьезных требований к выбору материала подложки. Оценка воздействия внутренних и внешних факторов, влияющих на основные параметры устройств СВЧ иа ЭСП, изготовленных первым способом, достаточно подробно описана в литературе [10, 19, 27] и получена в результате разработки и исследований при серийном изготовлении линий задержки на ЭСП. Исследования влияния различных дестабилизирующих факторов, технологических допусков, допусков поставляемых элементов на волновое сопротивление и время задержки в диапазоне частот, проведенные для линий задержки, могут быть без существенных изменений применены для оценки влияния этих факторов на устройства СВЧ иа ЭСП, поскольку, как было показано в § 1.4, в последних используется такой же класс элементарных звеньев фильтров и цепей, как и в линиях задержки. [12]
Эти данные следует рассматривать как ориентировочные, так как возможность восстановления или окисления растворителя зависит как от выбора материала подложки, так и от природы осаждаемого металла. [13]
В пленочных интегральных схемах все компоненты выполняют в виде тонких пленок, напыленных на диэлектрическую подложку, параметры которой в значительной мере влияют на параметры пассивных компонентов, а также на стабильность и надежность работы интегральной схемы в целом. Вопросу выбора материала подложки при разработке интегральных схем уделяют большое внимание. [14]
Методы, которые были рассмотрены в предыдущих параграфах, основаны на различных химических способах осаждения пленок на подложки из других материалов. При этом выбор материалов подложек, несмотря на ограничения электрического и термического характера, остается достаточно широким. Из рассмотрения табл. 1 видно, что существует еще одна группа доступных методов осаждения пленок окислов, нитридов и других соединений различных металлов, причем осаждение ведется на подложки из этих же металлов. Одним из распространенных электрохимических способов проведения такого процесса является анодирование. Как следует из наименования, пленка растет на аноде в электролитической ванне. [15]
Страницы: 1 2