Cтраница 2
В германиевых мощных приборах выбор слишком вы-сокоомного исходного материала может сильно снизить предельную температуру, так как чем выше это удельное сопротивление, тем раньше величина dIKOldT [ см. ( 3 - 5) ] может выйти за допустимые пределы. В сплавных приборах, выбирая р исходного материала, следует учитывать возможность прокола, если базовая область будет иметь слишком малую толщину или если удельное сопротивление базы будет слишком велико. В диффузионных транзисторах сопротивление исходного материала на явлении прокола не сказывается и для предотвращения прокола в этих приборах необходимо лишь соответствующим образом легировать базовую область. Помимо этого в диффузионных приборах необходимо принимать меры для предотвращения инжекции с кол лекторного контакта. Вследствие отрицательной роли различного рода неоднородностей и дефектов, имеющихся в исходном полупроводнике или возникающих при изготовлении прибора, для увеличения рабочего напряжения мощных транзисторов желательно уменьшать в них площадь переходов или по крайней мере не сильно увеличивать ее. [16]
Особое внимание нужно уделять выбору исходных материалов для приготовления расплава. Например, лучшим источником служат специально отобранные кусочки природного кварца. [17]
Особое внимание нужно уделять выбору исходных материалов для приготовления расплава. Например, лучшим источником SiO2 служат специально отобранные кусочки природного кварца. [18]
Первой задачей при создании терморезисторов является выбор исходного материала. Он должен иметь высокие проводимость и TKR, регулируемые в широких пределах, должен быть электронного типа, не чувствительным к загрязнению. [19]
Первой задачей при создании терморезисторов является выбор исходного материала, который должен иметь высокие проводимость и ТК. [20]
Успех работы во многом зависит от выбора исходного материала, дозы и концентрации мутагена. Целесообразно брать ценные сорта, но имеющие те или иные недостатки, которые могут быть экспериментально исправлены. [21]
Основные задачи конструирования кабелей заключаются в выборе исходных материалов для изготовления конструктивных элементов, разработке общей конструкции кабелей, определения электрических характеристик, типовой номенклатуры. [22]
Всего проведено три серии экспериментов, которые отличаются выбором исходного материала, особенностями используемых алгоритмов и самой организацией их проведения. [23]
Чертеж детали должен содержать все данные, необходимые для выбора исходного материала и выполнения всех операций по ее изготовлению. [24]
Любому процессу производства предшествует стадия его подготовки, целью которой является выбор исходных материалов, наилучших приемов и методов изготовления продукции, оснащение самого процесса необходимыми орудиями труда. [25]
Заданные свойства подложек и деталей корпусов микросхем при их изготовлении достигаются: выбором исходных материалов на соответствие их заданным свойствам; осуществлением входного контроля качества исходных материалов; созданием специальных новых материалов для микроэлектроники, удовлетворяющих эксплуатационным и технологическим требованиям; использованием операций и процессов, формирующих заданные свойства или восстанавливающих исходные; реализацией методов или приемов, направленных на создание условий, исключающих загрязнение материалов заготовок и деталей при их хранении, изготовлении и эксплуатации; выбором оптимальных режимов изготовления. [26]
Испытание проводится для определения пористости стенки трубы из стеклопластика и дает возможность оценить правильность выбора исходных материалов и качество намотки. [27]
![]() |
Марки стали и твердость элементов блоков матриц. [28] |
Высокая стойкость матриц достигается не только выполнением перечисленных выше правил конструирования, но в равной мере выбором исходных материалов для изготовления каждого из элементов блока, технологией их изготовления и сборки. [29]
В настоящее время известно очень много типов, марок ионитов различной эффективности и назначения; этим определяется выбор исходных материалов - мономеров. В основе получения обменных масс лежит реакция поликонденсации. Ниже в качестве примера приведена схема получения простейших катионита и анионита. [30]