Выбор - тип - транзистор
Cтраница 2
При выборе типа транзистора учитывают, что максимальное напряжение на коллекторе транзистора Т1 почти вдвое превышает напряжение питания и равно UK mai t / n Ui 2Un - 1 вКз и максимальный ток в 2 раза больше начального. Рассеиваемая на коллекторе мощность Ррас / кн Л должна быть меньше предельно допустимой для данного транзистора. [16]
При выборе типа транзисторов для оконечного каскада удобно пользоваться таблицей о данными генераторных транзисторов, подобной табл. 7.1. Обычно изготовители транзисторов указывают некоторые типовые экспериментальные данные. Эксперимент проводится в критическом режиме в условиях, близких к предельно допустимым по какому-либо из параметров, ограничивающих мощность так, чтобы можно было гарантировать достаточную надежность транзистора. [17]
 |
К выбору исходной рабочей точки в транс. форматорном каскаде на транзисторе. [18] |
При выборе типа транзистора следует учитывать, что в трансформаторном усилителе напряжение на коллекторе достигает почти двойного значения напряжения пи - r - d - Нйя. Поэтому следует выбирать такие транзисторы, которые допускают соответствующие напряжения на коллекторе. [19]
При выборе типа транзистора следует проверить, будут ли обеспечены необходимые запасы по максимальным токам, напряжениям и мощности по сравнению с предельно допустимыми значениями, взятыми из справочника. [20]
При выборе типов транзисторов, используемых в компенсационных стабилизаторах, исходят из следующих соображений. Через регулирующий транзистор 77 проходит весь ток нагрузки, поэтому обычно выбирают мощный транзистор, ток коллектора которого должен быть больше максимального тока нагрузки. Основное требование, предъявляемое к транзистору ТЗ, - получение максимального коэффициента усиления, поэтому необходимо использовать транзистор с большим коэффициентом усиления тока. Может оказаться, что для нормальной работы транзистора 77 требуется ток базы, превышающий ток коллектора транзистора ТЗ. [21]
При выборе типа транзистора полярность питающего напряжения по отношению к его корпусу не имеет решающего значения, так как можно составить схему и реализовать ее с заземлением по постоянному току любого из его выводов. Однако схема и конструкция генератора с внешним возбуждением всегда упрощается, если полярность питания такова, что позволяет соединить по постоянному току общий вывод транзистора ( эмиттер или базу) с корпусом транзистора и передатчика. [22]
При выборе типа транзистора следует учитывать возможность увеличения генерируемой мощности при совместном включении нескольких транзисторов. Параллельное или двухтактное включение двух транзисторов не вызывает заметного ухудшения Кр и % генератора и не усложняет его конструкции при работе на частотах вплоть до волн дециметрового диапазона. Дальнейшее увеличение числа совместно работающих транзисторов требует применения специальных схем сложения мощностей. [23]
При выборе типа транзисторов в таком ВУ следует учитывать, что допустимое напряжение UK. Транзистор Т3 должен допускать работу в микрорежиме с током коллектора порядка несколько десятков микроампер. [24]
 |
Схема усилителя напряжения с резистивно-емкостной связью на интегральной микросхеме К224УП1. [25] |
Это необходимо учитывать при выборе типа транзистора и определении полосы пропускания. [26]
 |
Выходные характеристики биполярного транзистора и области работы при включении по схеме ОБ ( о и по схеме ОЭ ( б. [27] |
Эти зависимости должны использоваться при выборе типа транзистора и ориентировочных расчетах, так как значения параметров транзисторов одного типа не одинаковы, а лежат в некотором интервале. Этот интервал ограничивается минимальным или максимальным значением, указанным в справочнике. Некоторые параметры имеют двустороннее ограничение. [28]
Это соотношение может служить обоснованием для выбора типа транзистора в каскадах импульсного усилителя. [29]
 |
Схема транзисторного модулятора. [30] |
Страницы: 1 2 3 4