Cтраница 1
Выбор травителя для данного соединения и для той или иной конкретной цели иногда очень затруднителен. Кинетика травления, как других гетерогенных процессов, очень сложна ( гл. Современная теория пока не может учесть влияния всех факторов и требует дальнейшего изучения этого сложного явления. Травление требует строгого соблюдения правил безопасной работы. [1]
Выбор травителя для того или иного кристалла почти полностью относится к области эмпиризма. Часто трави-тель содержит окисляющие агенты и растворители для образующегося окисла. Таким образом, видимо, правильнее говорить о травителе как о реагенте, взаимодействующем с кристаллом, чем как о растворителе. [2]
Выбор наиболее подходящего травителя производится в зависимости от материала кристалла ( кремния или германия) и ожидаемого размера неоднородностей. [3]
При выборе травителей для германия и кремния следует учитывать конечную цель и некоторые особенности травления. Так, например, для травления полупроводниковых образцов германия с ориентацией ( 100) число травителей значительно меньше, чем для образцов с ориентацией ( 111); для другой ориентации образцов эффективны лишь травители на основе плавиковой кислоты. Для кремния влияние ориентации на травление значительно слабее. [4]
При выборе травителя исходят из технологии его применения и наличия очень чистых исходных кислот, щелочей или других составляющих. Следует иметь в виду, что даже очень хороший, но не очень чистый травитель может не дать нужных результатов. [5]
Тип подложки может определять выбор травителя и условия травления. [6]
Вообще необходимо отметить, что общих рекомендаций по выбору травителя дать нельзя и этот вопрос решается, как правило, экспериментальным путем. [7]
Фотолитография тонких пленок, включая выбор фоторезиста, режимов экспонирования и проявления, выбор травителей и режимов химической обработки, требует индивидуальной технологии в зависимости от материалов пленки и подложки, толщины пленки, ее назначения и даже режимов ее напыления. [8]
Теоретические разработки используются редко, хотя очевидно, что такой подход должен значительно облегчить выбор травителя, во многих случаях он является единственно возможным. [9]
Травление образцов увеличивает контраст между фазами, обнаруживает блочность в структуре, позволяет охарактеризовать взаимное расположение отдельных зерен. Выбор травителя определяется обычно экспериментально на основе химической природы составляющих фаз. Существует несколько способов нанесения травителя на шлиф. При одном из них полированную поверхность погружают в сосуд с травите-лем. При этом необходимо перемешивание, чтобы травление происходило равномерно и продукты травления не оседали на шлифе. Этот метод требует большого расхода реактивов. При других способах травящие реагенты наносят из капельницы на полированную поверхность или втирают в нее ватой. Время действия травителя определяют опытным путем, просматривая шлиф под микроскопом. Визуально это определить нельзя, так как некоторые сплавы сохраняют блестящую поверхность и в травленном виде. Недотравленные образцы снова полируют в течение 1 - 3 мин, а затем травят более продолжительное время. Если шлифы были приготовлены заранее, то перед травлением их поверхность активизируют кратковременной полировкой. Приготовление шлифов для изучения микротвердости производится таким же образом. Микротвердость измеряют на травленных образцах, причем выбирают такой травитель, который характеризуется меньшей скоростью взаимодействия с поверхностью образца. [10]
Производится травление участков, незащищенных слоем фоторезиста. Выбор травителей определяется химическими свойствами растворяемого материала. [11]
Травление образцов увеличивает контраст между фазами, обнаруживает блочность в структуре, позволяет охарактеризовать взаимное расположение отдельных зерен. Выбор травителя определяется обычно экспериментально на основе химической природы составляющих фаз. Существует несколько способов нанесения травителя на шлиф. При одном из них полированную поверхность погружают в сосуд с травите-лем. При этом необходимо перемешивание, чтобы травление происходило равномерно и продукты травления не оседали на шлифе. Этот метод требует большого расхода реактивов. При других способах травящие реагенты наносят из капельницы на полированную поверхность или втирают в нее ватой. Время действия травителя определяют опытным путем, просматривая шлиф под микроскопом. Визуально это определить нельзя, так как некоторые сплавы сохраняют блестящую поверхность и в травленном виде. Недотравленные образцы снова полируют в течение 1 - 3 мин, а затем травят более продолжительное время. Если шлифы были приготовлены заранее, то глред травлением их поверхность активизируют кратковременной полировкой. Приготовление шлифов для изучения микротвердости производится таким же образом. Микротвердость измеряют на травленных образцах, причем выбирают такой травитель, который характеризуется меньшей скоростью взаимодействия с поверхностью образца. [12]
Для очистки поверхности полупроводниковых пластинок применяют химическое или электрохимическое тра В-ление. Обычно применяют несколько травителей, каждый из которых имеет свои особенности. При выборе травителя исходят из технологии его применения и наличия очень чистых исходных кислот, щелочей или других составляющих. При несоблюдении этого даже очень хороший трави-тель может не дать нужных результатов. [13]
Полупроводниковые соединения с алмазоподобной решеткой характеризуются полярностью структуры и чередованием атомных слоев, образованных атомами металла и металлоида. Различие электроотрицательностей элементов, образующих бинарное соединение, определяет наличие значительной доли ионной связи за счет смещения электронной плотности ковалентных связей в сторону атома металлоида. На рис. 2.15 показана проекция структуры алмазоподобного полупроводника типа A nBv на плоскость ( 1100), на которой хорошо видно чередование атомных слоев. Ввиду сильного различия химических свойств металла и металлоида, образующих соединение, выбор травителя, одинаково хорошо полирующего металлические и металлоидные плоскости, в значительной степени затруднен. [14]